[发明专利]无镍电镀金制作工艺有效
| 申请号: | 201210059824.7 | 申请日: | 2012-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN102560580A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 牛勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市中兴新宇软电路有限公司 |
| 主分类号: | C25D5/34 | 分类号: | C25D5/34;C25D3/48;H05K3/18 |
| 代理公司: | 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 | 代理人: | 孙皓;林虹 |
| 地址: | 518105 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 无镍电 镀金 制作 工艺 | ||
1.一种无镍电镀金制作工艺,包括以下步骤:一、第一次微蚀,将IC封装基板放入微蚀槽内,微蚀液的成份是H2SO4和APS,用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15-35ml/L,APS含量40-80g/L,工作温度20-25℃,时间10-30S;二、喷砂,对IC封装基板的双面焊盘进行喷砂处理,使用100-150nm金刚砂磨料,喷砂压力设为0.5-2Kg/cm2,速度1-3m/min;三、除油,将IC封装基板放入除油槽中,采用的碱性除油液体积配比为:C15H13NO250%、(NH4)3N5%、H2O45%,在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为10-20ml/L,浸泡时间1-2min;四、第二次微蚀,将IC封装基板放入微蚀槽中,微蚀液的成份是H2SO4和APS,用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15-35ml/L,APS含量40-80g/L,工作温度20-25℃,时间10-30S;五、酸浸,将IC封装基板放入酸洗槽内,酸浸液的成份是NH2SO3H,在工业纯净水中的含量是0.5-2g/L,酸浸15-30S;六、镀金,将IC封装基板放入浓度为5~10g/L的KAu(CN)4镀液中,钛网为阳极,IC封装基板为阴极,镀金的电流密度为1.2-1.8A/dm2,时间5-15min。
2.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述第一次微蚀,H2SO4浓度是25ml/L,APS含量60g/L,工作温度22℃。
3.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述第一次微蚀后,用压力0.5Kg/cm2的自来水冲洗5-15S。
4.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为15ml/L。
5.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述除油后,然后用工业纯净水清洗5-15S。
6.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述第二次微蚀,H2SO4浓度是25ml/L,APS含量60g/L,工作温度22℃。
7.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述第二次微蚀后,用工业纯净水清洗5-15S。
8.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述酸浸,铵基磺酸NH2SO3H含量是1g/L。
9.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述酸浸后,用工业纯净水清洗5-15S。
10.根据权利要求1所述的无镍电镀金制作工艺,其特征在于:所述镀金,在阳极附近设置电流释放托板,采用稳流器稳定镀金电流;镀金后用工业纯净水清洗5-15S。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市中兴新宇软电路有限公司,未经深圳市中兴新宇软电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210059824.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气动式银鱼受精卵孵化成苗方法
- 下一篇:酰胺衍生物





