[发明专利]无镍电镀金制作工艺有效

专利信息
申请号: 201210059824.7 申请日: 2012-03-08
公开(公告)号: CN102560580A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 牛勇 申请(专利权)人: 深圳市中兴新宇软电路有限公司
主分类号: C25D5/34 分类号: C25D5/34;C25D3/48;H05K3/18
代理公司: 深圳市中知专利商标代理有限公司 44101 代理人: 孙皓;林虹
地址: 518105 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 无镍电 镀金 制作 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种柔性印制电路板的处理工艺,特别是一种柔性印制电路板的表面电镀金的处理工艺。

背景技术

由于电子元件封装朝着高密度、小体积化趋势发展,集成电路IC芯片封装领域更是如此,要求IC封装柔性与刚挠一体化基板(IC封装基板)面积更小、更薄。IC封装基板提供了芯片与刚挠一体化基板之间不同线路的过渡;提供了对搭载在该基板上芯片的保护、支撑、散热通道;同时要求引脚要尽量短以减少延迟,引脚间的距离尽量远,采用无镍镀金工艺,减少电磁干扰,提高信号传输的稳定性。

目前柔性印制电路板FPC(Flexible Printed Circuit board)行业的主流表面处理工艺是化学沉镍金或镀镍金,虽然镀镍金有较好的防护性能,镀镍打底可防止铜金的电位迁移,并可提高镀层的耐磨性能。但镍的存在使电子信号损耗加大,IC封装基板越来越多的要求无镍镀金工艺,以满足IC封装产品信号传输要求。

目前我国生产的IC封装柔性与刚挠一体化基板的技术含量低,无法突破重点技术瓶颈,高端IC产品所采用的柔性基板或刚挠一体化基板绝大部分靠进口,柔性基板或刚挠一体化基板的制备工艺技术被国外的生产商所垄断。此类产品新的工艺技术研发成功,将打破国外在该领域的产品垄断和技术封锁,对提高我国电子信息产业的竞争力具有重要的现实意义。

发明内容

本发明的目的是提供一种无镍电镀金制作工艺,要解决的技术问题是提供良好导电性能、散热性能以及电子信号损耗小的IC封装柔性及刚挠一体化基板。

本发明采用以下技术方案:一种无镍电镀金制作工艺,包括以下步骤:一、第一次微蚀,将IC封装基板放入微蚀槽内,微蚀液的成份是H2SO4和APS,用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15-35ml/L,APS含量40-80g/L,工作温度20-25℃,时间10-30S;二、喷砂,对IC封装基板的双面焊盘进行喷砂处理,使用100-150nm金刚砂磨料,喷砂压力设为0.5-2Kg/cm2,速度1-3m/min;三、除油,将IC封装基板放入除油槽中,采用的碱性除油液体积配比为:C15H13NO250%、(NH4)3N5%、H2O45%,在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为10-20ml/L,浸泡时间1-2min;四、第二次微蚀,将IC封装基板放入微蚀槽中,微蚀液的成份是H2SO4和APS,用工业纯净水稀释H2SO4浓度是15-35ml/L,APS含量40-80g/L,工作温度20-25℃,时间10-30S;五、酸浸,将IC封装基板放入酸洗槽内,酸浸液的成份是NH2SO3H,在工业纯净水中的含量是0.5-2g/L,酸浸15-30S;六、镀金,将IC封装基板放入浓度为5~10g/L的KAu(CN)4镀液中,钛网为阳极,IC封装基板为阴极,镀金的电流密度为1.2-1.8A/dm2,时间5-15min。

本发明的第一次微蚀,H2SO4浓度是25ml/L,APS含量60g/L,工作温度22℃。

本发明的第一次微蚀后,用压力0.5Kg/cm2的自来水冲洗5-15S。

本发明在碱性除油液中加入工业纯净水稀释后的浓度为15ml/L。

本发明除油后,然后用工业纯净水清洗5-15S。

本发明的第二次微蚀,H2SO4浓度是25ml/L,APS含量60g/L,工作温度22℃。

本发明的第二次微蚀后,用工业纯净水清洗5-15S。

本发明的酸浸,铵基磺酸NH2SO3H含量是1g/L。

本发明的酸浸后,用工业纯净水清洗5-15S。

本发明的镀金,在阳极附近设置电流释放托板,采用稳流器稳定镀金电流;镀金后用工业纯净水清洗5-15S。

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