[发明专利]半导体器件

摘要

本发明描述了具有垂直沟道和自对准再生长栅极的结型场效应晶体管以及这些器件的制造方法。该方法采用选择性生长和/或选择性去除半导体材料的技术，从而沿着沟道的侧面并在将源极指分隔开的沟槽底部上形成p-n结栅极。本发明还描述了具有自对准再生基极接触区的双极结型晶体管的制造方法以及这些器件的制造方法。能够在碳化硅中制造这些半导体器件。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底层；第一导电类型的半导体材料的漂移层，位于所述半导体衬底层上；一个或多个凸起区域，位于所述漂移层上，其中所述一个或多个凸起区域中的每个均包括第一导电类型的半导体材料的发射极层，所述发射极层位于与所述第一导电类型不同的第二导电类型的半导体材料的基极层上，其中所述基极层位于所述漂移层上，并且其中所述凸起区域具有包括所述基极层的下侧壁部和包括所述发射极层的上侧壁部；以及一个或多个外延基极接触区，包括邻近所述凸起区域位于所述漂移层上的以及位于所述一个或多个凸起区域的所述下侧壁部上的、第二导电类型的半导体材料，其中所述外延基极接触区不与所述发射极层接触。