[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底层；

第一导电类型的半导体材料的漂移层，位于所述半导体衬底层上；

一个或多个凸起区域，位于所述漂移层上，其中所述一个或多个凸起区域中的每个均包括第一导电类型的半导体材料的发射极层，所述发射极层位于与所述第一导电类型不同的第二导电类型的半导体材料的基极层上，其中所述基极层位于所述漂移层上，并且其中所述凸起区域具有包括所述基极层的下侧壁部和包括所述发射极层的上侧壁部；以及

一个或多个外延基极接触区，包括邻近所述凸起区域位于所述漂移层上的以及位于所述一个或多个凸起区域的所述下侧壁部上的、第二导电类型的半导体材料，其中所述外延基极接触区不与所述发射极层接触。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型是n型，并且其中所述第二导电类型是p型。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述衬底是n型衬底。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述漂移层具有1×10¹⁴至1×10¹⁷个原子/cm³的掺杂浓度；

所述基极层具有1×10¹⁵至1×10¹⁸个原子/cm³的掺杂浓度；

所述发射极层具有大于1×10¹⁸个原子/cm³的掺杂浓度；和/或

所述外延基极接触区具有大于1×10¹⁸个原子/cm³的掺杂浓度。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述外延基极接触区的厚度为至少50nm。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述衬底是半绝缘的。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述发射极层、所述基极层、所述漂移层和所述外延基极接触区的半导体材料以及所述半导体衬底层是SiC半导体材料。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其中第一导电类型的半导体材料的缓冲层位于所述衬底层和所述漂移层之间。

9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述发射极层上的发射极接触、位于所述外延基极接触区上的基极接触、以及位于所述衬底层上且与所述漂移层相对的集电极接触。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述一个或多个凸起区域包括多个第一延伸区，所述多个第一延伸区在第一方向上取向，并从在第二方向上取向的第二延伸区延伸。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述第二方向大致垂直于所述第一方向。

12.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述外延基极接触区包括邻近所述凸起区域位于所述漂移层上的以及位于所述凸起区域的所述下侧壁部上的、第二导电类型的半导体材料的第一层，所述外延基极接触区还包括位于所述第一层上的、第二导电类型的半导体材料的第二层，其中所述第一层的掺杂浓度低于所述第二层的掺杂浓度。