[发明专利]功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法无效
| 申请号： | 201210046920.8 | 申请日： | 2012-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN102646667A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 柳春雷;N·舒尔茨;S·基辛 | 申请（专利权）人： | ABB研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/488;H01L23/051;H01L25/07;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 汤春龙;朱海煜 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明名称为功率半导体模块及制造功率半导体模块的方法，涉及功率半导体模块，包括半导体器件(12)，尤其是绝缘栅双极晶体管、反向导电绝缘栅双极晶体管或双模绝缘栅晶体管，具有发射电极和集电极，将导电上层(14)烧结到发射电极，上层(14)至少部分地能够与半导体器件(12)的半导体形成共晶体，且至少部分地具有如下热膨胀系数：与半导体的热膨胀系数相差的范围是≤250％、尤其是≤50％，以及将导电基板(20)烧结到集电极。半导体模块(10)还包括与基板(20)电隔离且经由直接电连接(22)连接到上层(14)的导电区(24)。根据本发明的半导体模块易于制备，具有改进可靠性且呈现短路故障模式能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，包括半导体器件(12)，尤其是绝缘栅双极晶体管、反向导电绝缘栅双极晶体管或者双模绝缘栅晶体管，其具有发射电极和集电极，其中导电上层(14)通过烧结接合连接到发射电极，所述上层(14)的材料至少部分地能够与所述半导体器件(12)的材料形成共晶体，并且所述上层(14)至少部分地具有如下热膨胀系数：该热膨胀系数与所述半导体器件的热膨胀系数相差的范围是≤250％、尤其是≤50％，以及其中导电基板(20)通过另一个烧结接合连接到所述集电极，以及其中所述功率半导体模块(10)还包括与所述基板(20)电绝缘并且经由直接电连接(22)连接到所述上层(14)的导电区(24)。
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