[发明专利]超结半导体器件

摘要

根据本发明的超结半导体器件包括漂移层，所述漂移层包括交替导电类型层100，其包括平行于n-型衬底的第一主表面交替排列的n-型区域1和p-型区域2，区域1和2在与第一主表面垂直的方向上长，区域1和2与第一主表面的方向平行地彼此相邻；第一主表面上的包括栅电极14和主源电极16a的主器件区域7；第一主表面上的包括栅电极14和主源电极16b的感测器件区域8；所述衬底的第二主表面上的共用漏电极20；以及位于衬底的第一主表面上的分隔区域9，该分隔区域9位于主器件区域7和感测器件区域8之间，该分隔区域9包括n-型区域3和位于n-型区域3中的p-型区域4，p-型区域4在与第一交替导电类型层平行和垂直的方向中处于电浮动状态。根据本发明，获得了超结半导体器件，其包括用于电流检测的感测器件区域，且即使在主器件区域和感测器件区域彼此之间电隔离时也便于防止击穿电压降低。

主权项

一种超结半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；所述半导体衬底上的共用漂移层，所述漂移层包括含有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域的第一交替导电类型层，两个区域均在与所述半导体衬底的第一主表面垂直的方向上长且在宽度方向上短，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域与所述半导体衬底的第一主表面平行地交替排列，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域与所述半导体衬底的第一主表面平行地彼此相邻；所述半导体衬底的所述第一主表面上的主器件区域，所述主器件区域包括含有主栅电极和主源电极的主器件单元；所述半导体衬底的所述第一主表面上的感测器件区域，所述感测器件区域包括含有感测栅电极和感测源电极的感测器件单元；所述半导体衬底的第二主表面上的共用漏电极；所述半导体衬底的所述第一主表面上的分隔区域，所述分隔区域在所述主器件区域和所述感测器件区域之间；以及所述分隔区域包括第一导电类型的第三半导体区域和第二导电类型的第四半导体区域，所述第四半导体区域以电浮动状态平行地排列在所述第三半导体区域中，且与所述第一交替导电类型层垂直。