[发明专利]超结半导体器件

权利要求书

1.一种超结半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

所述半导体衬底上的共用漂移层，所述漂移层包括含有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域的第一交替导电类型层，两个区域均在与所述半导体衬底的第一主表面垂直的方向上长且在宽度方向上短，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域与所述半导体衬底的第一主表面平行地交替排列，所述第一半导体区域和所述第二半导体区域与所述半导体衬底的第一主表面平行地彼此相邻；

所述半导体衬底的所述第一主表面上的主器件区域，所述主器件区域包括含有主栅电极和主源电极的主器件单元；

所述半导体衬底的所述第一主表面上的感测器件区域，所述感测器件区域包括含有感测栅电极和感测源电极的感测器件单元；

所述半导体衬底的第二主表面上的共用漏电极；

所述半导体衬底的所述第一主表面上的分隔区域，所述分隔区域在所述主器件区域和所述感测器件区域之间；

以及

所述分隔区域包括第一导电类型的第三半导体区域和第二导电类型的第四半导体区域，所述第四半导体区域以电浮动状态平行地排列在所述第三半导体区域中，且与所述第一交替导电类型层垂直。

2.如权利要求1所述的超结半导体器件，其特征在于，所述主器件区域和所述感测器件区域中的第一交替导电类型层包括平面条状图案。

3.如权利要求1或2所述的超结半导体器件，其特征在于，所述分隔区域包括第二交替导电类型层，其中所述第四半导体区域以平面晶格图案排列在所述第三半导体区域中。

4.如权利要求1到3中任一项所述的超结半导体器件，其特征在于，所述第二交替导电类型层的重复间距比所述第一交替导电类型层的重复间距窄。

5.如权利要求1到4中任一项所述的超结半导体器件，其特征在于，所述感测器件区域被所述主器件区域所围绕，且在所述感测器件区域和所述主器件区域之间设置有所述分隔区域。

6.如权利要求1到5中任一项所述的超结半导体器件，其特征在于，所述超结半导体器件进一步包括在所述分隔区域上的氧化物膜、以及在所述栅电极下的栅氧化物膜，且所述分隔区域上的氧化物膜比所述栅氧化物膜厚。

7.如权利要求1到6中任一项所述的超结半导体器件，其特征在于，所述第三和第四半导体区域在垂直于所述半导体衬底的所述第一主表面的方向上的厚度大于所述第一交替导电类型层在垂直于所述半导体衬底的所述第一主表面的方向上的厚度。