[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效

专利信息
申请号: 201210043825.2 申请日: 2012-02-23
公开(公告)号: CN102683330A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 福田昌利;渡部博 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/31;H01L23/29;H01L21/98
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 刘瑞东;陈海红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供半导体装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置具备:布线基板,在该布线基板上搭载的半导体芯片叠层体,在半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的底部填充层,包括覆盖·形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂的密封层。底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物,该固化物具有65℃以上且100℃以下的Tg。
搜索关键词: 半导体 装置 以及 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,具备:布线基板,其在至少一个主面具有布线层;半导体芯片叠层体,其在所述布线基板的所述主面安装,以预定的间隔重叠配置有2个以上的半导体芯片,且各半导体芯片相互地经由凸起被电连接;底部填充层,其包括在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的树脂;和密封层,其包括覆盖并形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂;所述底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物,且所述固化物的玻璃化转变温度(Tg)为65℃以上且100℃以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210043825.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top