[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

布线基板，其在至少一个主面具有布线层；

半导体芯片叠层体，其在所述布线基板的所述主面安装，以预定的间隔重叠配置有2个以上的半导体芯片，且各半导体芯片相互地经由凸起被电连接；

底部填充层，其包括在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的树脂；和

密封层，其包括覆盖并形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂；

所述底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物，且所述固化物的玻璃化转变温度(Tg)为65℃以上且100℃以下。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片叠层体具有第1半导体芯片和第2半导体芯片，所述第1半导体芯片面向上配置于所述布线基板的所述主面，所述第2半导体芯片在所述第1半导体芯片上以元件电路面相对置的方式被配置，所述第2半导体芯片的主面的面积小于所述第1半导体芯片的主面的面积。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于

构成所述底部填充层的树脂为环氧系树脂。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述底部填充层含有平均粒径小于0.5μm的无机填充材料。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于

所述无机填充料为二氧化硅粉末。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸起包括Sn-Ag焊料以及Sn-Cu焊料这样的Sn系焊料，和/或选自Au、Sn、Cu、Ag、Pd以及Ni中的至少1种金属材料。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述凸起的直径为5～50μm，排列的间隔为10～100μm。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

构成所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙为5～50μm。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

构成所述半导体芯片叠层体的2个以上的半导体芯片的厚度均为350μm以下。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述模塑树脂的Tg为130～200℃，小于Tg的温度的热膨胀率(CTE1)为0.8～1.4ppm/℃，Tg以上的温度的热膨胀率(CTE2)为3.0～4.9ppm/℃，弯曲弹性率为15～30GPa。

11.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述模塑树脂为环氧系树脂。

12.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述密封层的侧端面相对于所述布线基板1的主面垂直地形成。

13.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片叠层体具有主面的面积大致相同的2个以上的半导体芯片相互以预定的间隔配置，经由所述凸起被连接的构造。

14.如权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

构成所述半导体芯片叠层体的2个以上的半导体芯片的厚度均为50μm以下。

15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

准备在至少一个主面具有布线层的布线基板的步骤；

将2个以上的半导体芯片在所述布线基板的主面以预定的间隔重叠配置，将各半导体芯片相互地经由凸起电连接而安装的步骤；

在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片间的间隙注入填充热固化性树脂材料的步骤；

通过使所述热固化性树脂材料热固化，在所述间隙形成包括底部填充树脂的底部填充层的步骤；和

以覆盖所述半导体芯片叠层体的外侧的方式形成包括模塑树脂的密封层的步骤；

所述底部填充树脂包含胺系的固化剂，具有65℃以上且100℃以下的玻璃化转变温度(Tg)。

16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述热固化性树脂材料为以环氧系树脂为主体的材料。