[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

说明书

本申请享受2011年3月11日申请的日本专利申请2011-54534的优先权，在本申请中引用该日本专利申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年，伴随着电子设备的高机能化以及小型化的要求，半导体集成电路的高密度安装技术的开发取得进展。作为这样的安装技术的一例，有在半导体芯片上将其他半导体芯片以面向下的方式搭载的芯片上芯片(chip on chip)型的系统级封装的技术。这样的芯片上芯片构造着眼于有效地实现半导体封装的小型化，工作的高速化，省电化。

在芯片上芯片型的构造中，半导体芯片间的连接，通常以经由微小的凸起以倒装芯片方式进行。并且，为了保护连接部不受湿度等的周围环境的影响，且确保机械强度，在半导体芯片间注入树脂材料形成底部填充层。

但是，在现有技术的芯片上芯片型的半导体装置中，若重复低温-高温的温度周期，则上级的半导体芯片的侧面和构成底部填充层的底部填充树脂之间容易产生剥离。而且，可能发生该剥离在底部填充树脂内成为龟裂并传播，下级的半导体芯片的内部布线被切断等的缺陷。

发明内容

本发明要解决的课题是提供在温度周期等的施加时，能够抑制底部填充树脂的剥离，防止半导体芯片的断线缺陷等的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

实施方式的半导体装置具备：布线基板，其在至少一个主面(主表面)具有布线层；半导体芯片叠层体，其在所述布线基板的所述主面安装，以预定的间隔重叠配置有2个以上的半导体芯片，且各半导体芯片相互地经由凸起被电连接；底部填充层，其包括在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的树脂；和密封层，其包括覆盖并形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂；

所述底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物，且所述固化物的玻璃化转变温度(Tg)为65℃以上且100℃以下。

另一实施方式的半导体装置的制造方法具备：准备在至少一个主面具有布线层的布线基板的步骤；将2个以上的半导体芯片在所述布线基板的主面以预定的间隔重叠配置，将各半导体芯片相互地经由凸起电连接而安装的步骤；在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片间的间隙注入填充热固化性树脂材料的步骤；通过使所述热固化性树脂材料热固化，在所述间隙形成包括底部填充树脂的底部填充层的步骤；和以覆盖所述半导体芯片叠层体的外侧的方式形成包括模塑树脂的密封层的步骤；

所述底部填充树脂包含胺系的固化剂，具有65℃以上且100℃以下的玻璃化转变温度(Tg)。

根据上述构成的半导体装置以及半导体装置的制造方法，在温度周期等的施加时，能够抑制底部填充树脂的剥离，防止半导体芯片的断线缺陷等。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的截面图。

图2是表示第2实施方式的半导体装置的截面图。

具体实施方式

根据一个实施方式，提供具备如下的半导体装置：布线基板，其在至少一个主面具有布线层；半导体芯片叠层体，其在所述布线基板的所述主面安装，以预定的间隔重叠配置有2个以上的半导体芯片，且各半导体芯片相互地经由凸起被电连接；底部填充层，其包括在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片之间的间隙填充的树脂；和密封层，其包括覆盖所述半导体芯片叠层体的外侧和/或形成于所述半导体芯片叠层体的外侧的模塑树脂。在这样的半导体装置中，所述底部填充层包括包含胺系的固化剂的树脂材料的固化物，且所述固化物的玻璃化转变温度(Tg)为65℃以上且100℃以下。

另外，根据一个实施方式，提供具备如下步骤的半导体装置的制造方法：准备在至少一个主面具有布线层的布线基板的步骤；将2个以上的半导体芯片在所述布线基板的主面以预定的间隔重叠配置，将各半导体芯片相互地经由凸起电连接而安装的步骤；在所述半导体芯片叠层体的各半导体芯片间的间隙注入填充热固化性树脂材料的步骤；通过使所述热固化性树脂材料热固化，在所述间隙形成包括底部填充树脂的底部填充层的步骤；和以覆盖所述半导体芯片叠层体的外侧的方式形成包括模塑树脂的密封层的步骤。在这样的半导体装置的制造方法中，所述底部填充树脂包含胺系的固化剂，具有65℃以上且100℃以下的玻璃化转变温度(Tg)。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的半导体装置的截面图。