[发明专利]晶体管结构无效
| 申请号： | 201210036073.7 | 申请日： | 2012-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN103178112A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种晶体管结构，包含一半导体基板、一沟槽以及一掺杂区。该半导体基板包含一第一表面与一井区，其中该井区位于该第一表面下，且该沟槽设置于该半导体基板内，该沟槽自该第一表面延伸至该井区中。该沟槽包含一第一功函数层以及一第二功函数层，其与该第一功函数层相邻且具有相反掺质型态。该晶体管结构另包含一介电层，其与该沟槽的内壁相邻并将各功函数层与该半导体基板分离。该掺杂区设置于该该半导体基板中且位于该井区之上，其中该掺杂区的掺质型态与该第一功函数层相反。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种晶体管结构，其特征在于，包含：一半导体基板(100)，包含一第一表面(102)与一井区(104)，该井区(104)位于该第一表面(102)下；一沟槽(200)，设置于该半导体基板(100)，该沟槽(200)自该第一表面(102)延伸至该井区(104)中，该沟槽(200)包含：一第一功函数层(210)；一第二功函数层(212)，与该第一功函数层(210)相邻且具有相反掺质型态；一介电层(202)，与该沟槽(200)的内壁相邻并将各功函数层(210、212)与该半导体基板(100)分离；以及一掺杂区(106)，设置于该该半导体基板(100)中且位于该井区(104)之上，该掺杂区(106)的掺质型态与该第一功函数层(210)相反。
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