[发明专利]晶体管结构

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于，包含：

一半导体基板(100)，包含一第一表面(102)与一井区(104)，该井区(104)位于该第一表面(102)下；

一沟槽(200)，设置于该半导体基板(100)，该沟槽(200)自该第一表面(102)延伸至该井区(104)中，该沟槽(200)包含：

一第一功函数层(210)；

一第二功函数层(212)，与该第一功函数层(210)相邻且具有相反掺质型态；

一介电层(202)，与该沟槽(200)的内壁相邻并将各功函数层(210、212)与该半导体基板(100)分离；以及

一掺杂区(106)，设置于该该半导体基板(100)中且位于该井区(104)之上，该掺杂区(106)的掺质型态与该第一功函数层(210)相反。

2.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该第二功函数层(212)将该第一功函数层(210)与该掺杂区(106)分离。

3.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，该第二功函数层(212)设置于该第一功函数层(210)上。

4.根据权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于，该井区(104)与该掺杂区(106)的边界高于该第二功函数层(212)与该第一功函数层(210)的边界。

5.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，该第二功函数层(212)设置于该沟槽(200)的内壁部分区域且该第一功函数层(210)夹于该第二功函数层(212)之间。

6.根据权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于，该第二功函数层(212)的顶部高于该井区(104)与该掺杂区(106)的边界。

7.根据权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该第一功函数层(210)位于该沟槽(200)的底部与该沟槽(200)的内壁部分区域。

8.根据权利要求7所述的晶体管结构，其特征在于，该井区(104)与该掺杂区(106)的边界高于该第一功函数层(210)侧壁部分的顶部。

9.根据权利要求8所述的晶体管结构，其特征在于，该第二功函数层(212)填入该沟槽(200)且该第二功函数层(212)的顶部高于该井区(104)与该掺杂区(106)的边界，该第二功函数层(212)将该第一功函数层(210)与该掺杂区(106)分离。

10.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，该第一功函数层(210)的掺质浓度为一梯度分布，且该第一功函数层(210)的掺质浓度在该沟槽(200)底部最高，并由沟槽(200)底部往上递减。

11.根据权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，该第二功函数层(212)的掺质浓度为一梯度分布，且该第二功函数层(212)的掺质浓度在该第一功函数层(210)与该第二功函数层(212)的边界时为最低。