[发明专利]穿硅导通体的制法及结构

摘要

本发明公开一种穿硅导通体的制法及结构。有关制造该穿硅导通体(TSV)结构的方法，其中，在基板上形成图案化硬掩模，此图案化硬掩模具有开口；在开口的侧壁上形成间隙壁状物；在形成间隙壁状物后，经由开口蚀刻间隙壁状物及基板，以在基板形成一具有一扩大开口的导通孔。本发明也有关TSV结构，其导通孔具有一开口部及一本体部，开口部为一相对上扩口而具有一在上的开口尺寸较在下的开口尺寸大的倾斜形状。

主权项

一种制造穿硅导通体结构的方法，包括：在一基板上形成一图案化硬掩模，该图案化硬掩模具有一开口；在该开口的侧壁上形成一间隙壁状物，其中该图案化硬掩模与该间隙壁状物都直接接触该基板；及在形成该间隙壁状物后，经由该开口蚀刻该间隙壁状物及该基板，在该间隙壁状物被完全移除后，对该开口继续蚀刻，以于该基板形成一具有一扩大开口的导通孔，并且随着该蚀刻的进行该图案化硬掩模将被完全移除，并暴露出该基板的一表面。