[发明专利]穿硅导通体的制法及结构有效
| 申请号： | 201210032525.4 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN103247569B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 林进富;吴俊元;刘志建;蔡腾群;简金城 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 穿硅导 通体 制法 结构 | ||
1.一种制造穿硅导通体结构的方法，包括：
在一基板上形成一图案化硬掩模，该图案化硬掩模具有一开口；
在该开口的侧壁上形成一间隙壁状物，其中该图案化硬掩模与该间隙壁状物都直接接触该基板；及
在形成该间隙壁状物后，经由该开口蚀刻该间隙壁状物及该基板，在该间隙壁状物被完全移除后，对该开口继续蚀刻，以于该基板形成一具有一扩大开口的导通孔，并且随着该蚀刻的进行该图案化硬掩模将被完全移除，并暴露出该基板的一表面。
2.如权利要求1所述的制造穿硅导通体结构的方法，其中该间隙壁状物的蚀刻速率相较于该图案化硬掩模的蚀刻速率为快。
3.如权利要求1所述的制造穿硅导通体结构的方法，其中该间隙壁状物的蚀刻速率在该图案化硬掩模的蚀刻速率与该基板的蚀刻速率之间。
4.如权利要求1所述的制造穿硅导通体结构的方法，其中，在该开口的侧壁上形成该间隙壁状物的步骤包括：
以低温薄膜沉积制作工艺于该图案化硬掩模上及该开口的侧壁上形成一间隙壁状物材料层；及
对该间隙壁状物材料层回蚀刻。
5.如权利要求1所述的制造穿硅导通体结构的方法，其中，在该开口的侧壁上形成该间隙壁状物的步骤包括：
以低温薄膜沉积制作工艺于该图案化硬掩模上及该开口的侧壁上形成一间隙壁状物材料层；
对该间隙壁状物材料层进行一回蚀刻制作工艺；及
进行一湿蚀刻制作工艺以使所形成的该间隙壁状物具有一预定厚度与宽度。
6.如权利要求1至5中的任一项所述的制造穿硅导通体结构的方法，其中经由该开口蚀刻该间隙壁状物及该基板以于该基板形成该具有一扩大开口的导通孔使用一各向异性干蚀刻制作工艺进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
