[发明专利]一种线体制作工艺无效

专利信息
申请号: 201210031619.X 申请日: 2012-02-13
公开(公告)号: CN102543628A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 卫平牛 申请(专利权)人: 安徽鑫昊等离子显示器件有限公司
主分类号: H01J9/42 分类号: H01J9/42;H01J11/38
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供的应用于Cr-Cu-Cr电极前介质的线体制作工艺,相对于现有技术在第一次涂布及第二次涂布工序后均增加了湿膜厚度测定装置,并在第一次干燥烧结及第二次干燥烧结工艺后均增加了在线烧结膜厚度检测装置,通过增加这两个装置可以及时的检测到不同工序中各种膜的厚度,在膜厚不均匀时,可以根据膜的厚度调节设备,从而准确的控制膜的厚度,使膜厚在每个工序中都能达到均一性,并能满足工艺需求,避免了由于膜厚及膜厚均一性不合格对PDP(等离子显示板)屏品质造成的影响。另外,增加二次烧结后缺陷检查和切割后缺陷检查,可进一步减少不良品流向后工序有效的提高了PDP屏的良品率。
搜索关键词: 一种 体制 工艺
【主权项】:
一种线体制作工艺,应用于Cr‑Cu‑Cr电极前介质上,其特征在于,包括步骤:1):完成玻璃基板的干式清洗后,通过喷嘴对玻璃基板进行第一次涂布形成一次湿膜,随后测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度,并对一次湿膜的缺陷进行检查;2):对一次湿膜进行第一次干燥烧结形成一次烧结膜,在线检查一次烧结膜的边缘,同时在线检测一次烧结膜的厚度;3):对含有一次烧结膜玻璃基板进行干式清洗,并在一次烧结膜上通过喷嘴进行第二次涂布形成二次湿膜,测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度,并对二次湿膜的缺陷进行检查;4):对二次湿膜进行二次干燥烧结形成二次烧结膜,在线检测二次烧结膜的厚度,并在线检查二次烧结膜的缺陷情况;5):对上述检查后的二次烧结膜进行端末刻蚀工艺,最终形成成品线体。
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