[发明专利]一种线体制作工艺无效
| 申请号: | 201210031619.X | 申请日: | 2012-02-13 |
| 公开(公告)号: | CN102543628A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 卫平牛 | 申请(专利权)人: | 安徽鑫昊等离子显示器件有限公司 |
| 主分类号: | H01J9/42 | 分类号: | H01J9/42;H01J11/38 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 体制 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及PDP(等离子显示板)屏制造技术领域,特别涉及一种线体制作工艺。
背景技术
前介质线体的生产是PDP屏制作过程中的重要工序之一,在PDP屏中主要使用到Cr-Cu-Cr电极,由于Cr-Cu-Cr电极工艺的特殊性,对前介质的工艺设计要求也很高。这种适合Cr-Cu-Cr电极前介质的制作工艺,直接影响到PDP屏的质量与良品率。因此,PDP屏的生产厂家加强了对Cr-Cu-Cr电极前介质线体的研究力度,以提高带Cr-Cu-Cr电极前介质工序的良品率。
现有技术中,前介质线体的生产主要有两种方法:一种是一次涂布,一次干烧结工艺;另一种是两次涂布,两次干烧结工艺。其中第一种制作方法适合生产汇流电极为银浆料印刷的前介质线体,操作简便;第二种方法适合生产汇流电极为Cr-Cu-Cr的前介质线体。对于第二种前介质线体制作工艺其具体步骤为:涂布前干式清洗→一次涂布→涂布湿膜检查→一次干燥烧结→膜面边缘在线检查→二次涂布前干式清洗→二次涂布→二次干燥烧结→在线缺陷检查→......→端末刻蚀。上述Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺中存在设计上的不足,此种生产工艺不能有效的控制前介质线体中烧结膜的厚度,从而导致烧结膜的厚度无法实现均一性,使用这种烧结膜制作出来的PDP屏,大大降低了其良品率,影响产品的质量。
因此提供一种应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上线体的制作工艺,以实现可以随时准确的监控线体生产中各阶段膜的厚度,确保膜厚的均一性,进而提高PDP屏的良品率,成为本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种线体制作工艺,应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上,实现了随时准确的监控了线体生产中各阶段膜的厚度,确保了膜厚的均一性,进而提高了PDP屏的良品率。
本发明提供的Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺,其包括步骤:
1):完成玻璃基板的干式清洗后,通过喷嘴对玻璃基板进行第一次涂布形成一次湿膜,随后测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度,并对一次湿膜的缺陷进行检查;
2):对一次湿膜进行第一次干燥烧结形成一次烧结膜,在线检查一次烧结膜的边缘,同时在线检测一次烧结膜的厚度;
3):对含有一次烧结膜玻璃基板进行干式清洗,并在一次烧结膜上通过喷嘴进行第二次涂布形成二次湿膜,测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度,并对二次湿膜的缺陷进行检查;
4):对二次湿膜进行二次干燥烧结形成二次烧结膜,在线检测二次烧结膜的厚度,并在线检查二次烧结膜的缺陷情况;
5):对上述检查后的二次烧结膜进行端末刻蚀工艺,最终形成成品Cr-Cu-Cr电极前介质线体。
优选的,在上述Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺中,在步骤1)中,对玻璃基板进行干式清洗前还包括湿法清洗,以增强对玻璃基板的清洗效果,干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作,清除玻璃基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。
优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤1)中,使用变位传感器测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度,并将数据导入监视器中,制成一次湿膜膜厚曲线。
优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤2)中,通过在线烧结膜厚度检测装置检测一次烧结膜的厚度,确保一次烧结膜的厚度满足工艺需求。
优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤3)中,完成对玻璃基板的干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作,清除基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。
优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤3)中,使用变位传感器测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度,并将数据导入监视器中,制成二次湿模膜厚曲线。
优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤3)中,通过在线烧结膜厚度检测装置检测二次烧结膜的厚度,确保二次烧结膜的厚度满足工艺需求。
优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤4)中,完成在线检测二次烧结膜的厚度及检查二次烧结膜的缺陷情况,在进行烧结后倾斜检查,及完成对二次烧结膜切割后,再次进行切割后人工检查。
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