[发明专利]一种线体制作工艺无效

专利信息
申请号: 201210031619.X 申请日: 2012-02-13
公开(公告)号: CN102543628A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 卫平牛 申请(专利权)人: 安徽鑫昊等离子显示器件有限公司
主分类号: H01J9/42 分类号: H01J9/42;H01J11/38
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明
地址: 230011 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 体制 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及PDP(等离子显示板)屏制造技术领域,特别涉及一种线体制作工艺。

背景技术

前介质线体的生产是PDP屏制作过程中的重要工序之一,在PDP屏中主要使用到Cr-Cu-Cr电极,由于Cr-Cu-Cr电极工艺的特殊性,对前介质的工艺设计要求也很高。这种适合Cr-Cu-Cr电极前介质的制作工艺,直接影响到PDP屏的质量与良品率。因此,PDP屏的生产厂家加强了对Cr-Cu-Cr电极前介质线体的研究力度,以提高带Cr-Cu-Cr电极前介质工序的良品率。

现有技术中,前介质线体的生产主要有两种方法:一种是一次涂布,一次干烧结工艺;另一种是两次涂布,两次干烧结工艺。其中第一种制作方法适合生产汇流电极为银浆料印刷的前介质线体,操作简便;第二种方法适合生产汇流电极为Cr-Cu-Cr的前介质线体。对于第二种前介质线体制作工艺其具体步骤为:涂布前干式清洗→一次涂布→涂布湿膜检查→一次干燥烧结→膜面边缘在线检查→二次涂布前干式清洗→二次涂布→二次干燥烧结→在线缺陷检查→......→端末刻蚀。上述Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺中存在设计上的不足,此种生产工艺不能有效的控制前介质线体中烧结膜的厚度,从而导致烧结膜的厚度无法实现均一性,使用这种烧结膜制作出来的PDP屏,大大降低了其良品率,影响产品的质量。

因此提供一种应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上线体的制作工艺,以实现可以随时准确的监控线体生产中各阶段膜的厚度,确保膜厚的均一性,进而提高PDP屏的良品率,成为本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本发明提供一种线体制作工艺,应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上,实现了随时准确的监控了线体生产中各阶段膜的厚度,确保了膜厚的均一性,进而提高了PDP屏的良品率。

本发明提供的Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺,其包括步骤:

1):完成玻璃基板的干式清洗后,通过喷嘴对玻璃基板进行第一次涂布形成一次湿膜,随后测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度,并对一次湿膜的缺陷进行检查;

2):对一次湿膜进行第一次干燥烧结形成一次烧结膜,在线检查一次烧结膜的边缘,同时在线检测一次烧结膜的厚度;

3):对含有一次烧结膜玻璃基板进行干式清洗,并在一次烧结膜上通过喷嘴进行第二次涂布形成二次湿膜,测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度,并对二次湿膜的缺陷进行检查;

4):对二次湿膜进行二次干燥烧结形成二次烧结膜,在线检测二次烧结膜的厚度,并在线检查二次烧结膜的缺陷情况;

5):对上述检查后的二次烧结膜进行端末刻蚀工艺,最终形成成品Cr-Cu-Cr电极前介质线体。

优选的,在上述Cr-Cu-Cr电极前介质线体制作工艺中,在步骤1)中,对玻璃基板进行干式清洗前还包括湿法清洗,以增强对玻璃基板的清洗效果,干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作,清除玻璃基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。

优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤1)中,使用变位传感器测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度,并将数据导入监视器中,制成一次湿膜膜厚曲线。

优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤2)中,通过在线烧结膜厚度检测装置检测一次烧结膜的厚度,确保一次烧结膜的厚度满足工艺需求。

优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤3)中,完成对玻璃基板的干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作,清除基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。

优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤3)中,使用变位传感器测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度,并将数据导入监视器中,制成二次湿模膜厚曲线。

优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤3)中,通过在线烧结膜厚度检测装置检测二次烧结膜的厚度,确保二次烧结膜的厚度满足工艺需求。

优选的,在上述线体制作工艺中,在步骤4)中,完成在线检测二次烧结膜的厚度及检查二次烧结膜的缺陷情况,在进行烧结后倾斜检查,及完成对二次烧结膜切割后,再次进行切割后人工检查。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽鑫昊等离子显示器件有限公司,未经安徽鑫昊等离子显示器件有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210031619.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top