[发明专利]一种线体制作工艺

权利要求书

1.一种线体制作工艺，应用于Cr-Cu-Cr电极前介质上，其特征在于，包括步骤：

1)：完成玻璃基板的干式清洗后，通过喷嘴对玻璃基板进行第一次涂布形成一次湿膜，随后测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度，并对一次湿膜的缺陷进行检查；

2)：对一次湿膜进行第一次干燥烧结形成一次烧结膜，在线检查一次烧结膜的边缘，同时在线检测一次烧结膜的厚度；

3)：对含有一次烧结膜玻璃基板进行干式清洗，并在一次烧结膜上通过喷嘴进行第二次涂布形成二次湿膜，测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，并对二次湿膜的缺陷进行检查；

4)：对二次湿膜进行二次干燥烧结形成二次烧结膜，在线检测二次烧结膜的厚度，并在线检查二次烧结膜的缺陷情况；

5)：对上述检查后的二次烧结膜进行端末刻蚀工艺，最终形成成品线体。

2.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤1)中，对玻璃基板干式清洗前还包括对玻璃基板进行湿法清洗，干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作，清除玻璃基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。

3.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤1)中，使用变位传感器测定一次湿膜在喷嘴方向的厚度，并将数据导入监视器中，制成一次湿膜膜厚曲线。

4.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤2)中，通过在线烧结膜厚度检测装置检测一次烧结膜的厚度，确保一次烧结膜的厚度满足工艺需求。

5.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤3)中，完成对玻璃基板的干式清洗后还包括对玻璃基板进行除静电操作，清除基板带电极图形面浮尘与玻璃基板背面尘埃。

6.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤3)中，使用变位传感器测定二次湿膜在喷嘴方向的厚度，并将数据导入监视器中，制成二次湿膜膜厚曲线。

7.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤3)中，通过在线烧结膜厚度检测装置检测二次烧结膜的厚度，确保二次烧结膜的厚度满足工艺需求。

8.根据权利要求1所述的线体制作工艺，其特征在于，在步骤4)中，完成在线检测二次烧结膜的厚度及检查二次烧结膜的缺陷情况后，在进行烧结后倾斜检查，及完成对二次烧结膜切割后，再次进行切割后人工检查。