[发明专利]芯片背面含金成分的金属的去除方法无效
| 申请号： | 201210028902.7 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543681A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 芦冬云;盛磊;吴昊 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片背面含金成分的金属的去除方法，包括步骤：S1：提供需要去除背面金属的半导体芯片；S2：对芯片的正面进行贴膜保护；S3：将芯片放入第一化学处理液中进行背面预处理；S4：将芯片放入第二化学处理液中进行背面金属的去除工艺；S5：清洗、干燥芯片。本发明不仅可以去除芯片背面未金属化的含金成分的金属，更能有效去除金属化后的含金成分的金属，便于金属回收再利用，且防止了背面金属影响芯片后道封装和器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 背面 成分 金属 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片背面含金成分的金属的去除方法，包括步骤：S1：提供需要去除背面金属的半导体芯片；S2：对所述芯片的正面进行贴膜保护；S3：将所述芯片放入第一化学处理液中进行背面预处理；S4：将所述芯片放入第二化学处理液中进行所述背面金属的去除工艺；S5：清洗、干燥所述芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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