[发明专利]芯片背面含金成分的金属的去除方法无效
| 申请号： | 201210028902.7 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102543681A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 芦冬云;盛磊;吴昊 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 背面 成分 金属 去除 方法 | ||
1.一种芯片背面含金成分的金属的去除方法，包括步骤：
S1：提供需要去除背面金属的半导体芯片；
S2：对所述芯片的正面进行贴膜保护；
S3：将所述芯片放入第一化学处理液中进行背面预处理；
S4：将所述芯片放入第二化学处理液中进行所述背面金属的去除工艺；
S5：清洗、干燥所述芯片。
2.根据权利要求1所述的去除方法，其特征在于，在所述步骤S2之后、所述步骤S3之前，所述去除方法还包括步骤：
S21：接收对所述芯片正面的贴膜保护状况的检查结果，判断所述贴膜保护状况是否异常；如果是，则将所述贴膜去除，返回所述步骤S2；如果否，则进入所述步骤S3。
3.根据权利要求2所述的去除方法，其特征在于，在所述步骤S4之后、所述步骤S5之前，所述去除方法还包括步骤：
S41：接收对所述芯片的背面金属的去除状况的检查结果，判断所述去除状况是否异常；如果是，则返回所述步骤S4；如果否，则进入所述步骤S5。
4.根据权利要求2或3所述的去除方法，其特征在于，所述芯片包括未切割的半导体晶圆和已切割的单个半导体芯片。
5.根据权利要求4所述的去除方法，其特征在于，所述贴膜具有抗强腐蚀的特性。
6.根据权利要求5所述的去除方法，其特征在于，所述第一化学处理液为氢氟酸。
7.根据权利要求6所述的去除方法，其特征在于，所述氢氟酸的浓度配比为5％。
8.根据权利要求7所述的去除方法，其特征在于，所述背面预处理的时间为60秒。
9.根据权利要求8所述的去除方法，其特征在于，所述第一化学处理液进行背面预处理的温度范围为24.3～25.7℃。
10.根据权利要求9所述的去除方法，其特征在于，在进行所述背面预处理的步骤之后、去除所述背面金属的步骤之前，还包括步骤：
对所述芯片执行清洗和干燥程序。
11.根据权利要求10所述的去除方法，其特征在于，所述第二化学处理液为王水。
12.根据权利要求11所述的去除方法，其特征在于，去除所述背面金属的初步工艺时间为6～8分钟。
13.根据权利要求12所述的去除方法，其特征在于，所述第二化学处理液进行背面金属的去除工艺的温度范围为28～30℃。
14.根据权利要求13所述的去除方法，其特征在于，所述芯片的所述背面金属的去除状况的检查内容包括：
所述芯片背面是否仍有金属；
所述芯片正面是否有渗酸现象；以及
所述芯片背面是否有其他残留物。
15.根据权利要求14所述的去除方法，其特征在于，再次对所述芯片的所述背面金属进行去除工艺的工艺时间为1分钟/次。
16.根据权利要求15所述的去除方法，其特征在于，所述背面金属为一层或者多层结构的含金成分的金属。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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