[发明专利]芯片背面含金成分的金属的去除方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，具体来说，本发明涉及一种芯片背面含金成分的金属的去除方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，在芯片的背面会需要形成一层或者多层结构的含金成分的金属(背面金属，简称背金)。但是如果背面金属的表面出现异常，则会影响后道封装和器件的可靠性，导致在线报废率很高。

此时，需要将上述表面出现异常的背面金属进行有效去除，将其去除之后，可以重新淀积形成品质良好的背面金属，从而提高半导体产品的成品率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种芯片背面含金成分的金属的去除方法，不仅可以去除芯片背面未金属化的含金成分的金属，更能有效去除金属化后的含金成分的金属，便于金属回收再利用，且防止了背面金属影响芯片后道封装和器件的可靠性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种芯片背面含金成分的金属的去除方法，包括步骤：

S1：提供需要去除背面金属的半导体芯片；

S2：对所述芯片的正面进行贴膜保护；

S3：将所述芯片放入第一化学处理液中进行背面预处理；

S4：将所述芯片放入第二化学处理液中进行所述背面金属的去除工艺；

S5：清洗、干燥所述芯片。

可选地，在所述步骤S2之后、所述步骤S3之前，所述去除方法还包括步骤：

S21：接收对所述芯片正面的贴膜保护状况的检查结果，判断所述贴膜保护状况是否异常；如果是，则将所述贴膜去除，返回所述步骤S2；如果否，则进入所述步骤S3。

可选地，在所述步骤S4之后、所述步骤S5之前，所述去除方法还包括步骤：

S41：接收对所述芯片的背面金属的去除状况的检查结果，判断所述去除状况是否异常；如果是，则返回所述步骤S4；如果否，则进入所述步骤S5。

可选地，所述芯片包括未切割的半导体晶圆和已切割的单个半导体芯片。

可选地，所述贴膜具有抗强腐蚀的特性。

可选地，所述第一化学处理液为氢氟酸。

可选地，所述氢氟酸的浓度配比为5％。

可选地，所述背面预处理的时间为60秒。

可选地，所述第一化学处理液进行背面预处理的温度范围为24.3～25.7℃。

可选地，在进行所述背面预处理的步骤之后、去除所述背面金属的步骤之前，还包括步骤：

对所述芯片执行清洗和干燥程序。

可选地，所述第二化学处理液为王水。

可选地，去除所述背面金属的初步工艺时间为6～8分钟。

可选地，所述第二化学处理液进行背面金属的去除工艺的温度范围为28～30℃。

可选地，所述芯片的所述背面金属的去除状况的检查内容包括：

所述芯片背面是否仍有金属；

所述芯片正面是否有渗酸现象；以及

所述芯片背面是否有其他残留物。

可选地，再次对所述芯片的所述背面金属进行去除工艺的工艺时间为1分钟/次。

可选地，所述背面金属为一层或者多层结构的含金成分的金属。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明不仅可以去除芯片背面未金属化的含金成分的金属，更能有效去除金属化后的含金成分的金属，便于金属的回收再利用，节约了宝贵的生产资源。

本发明防止了品质不良的背面金属影响芯片后道封装和器件的可靠性，提高了半导体产品的成品率。

附图说明

本发明的上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变得更加明显，其中：

图1为本发明一个实施例的芯片背面含金成分的金属的去除方法的流程图。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明，在以下的描述中阐述了更多的细节以便于充分理解本发明，但是本发明显然能够以多种不同于此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下根据实际应用情况作类似推广、演绎，因此不应以此具体实施例的内容限制本发明的保护范围。

图1为本发明一个实施例的芯片背面含金成分的金属的去除方法的流程图。如图1所示，该芯片背面含金成分的金属的去除方法可以包括：

执行步骤S101，提供需要去除背面金属的半导体芯片。

在本实施例中，该芯片可以包括未切割的半导体晶圆(Wafer)和已切割的单个半导体芯片(Die)，而该背面金属也可以为单层或者多层结构的含金(Au)成分的金属。