[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210028244.1 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102637712A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 沢田义治;铃木翔;冈部刚士;板桥政次;碓井崇;岩田旬史 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 鲍进 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体装置及其制造方法，其中包括在半导体基板的成像区域和周边区域中提供第一波导部件并且提供贯穿第一波导部件的插头。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：包含第一区域和第二区域的半导体基板；被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中并在所述第一区域中具有开口的绝缘体；被所述绝缘体包围的布线层；被配备在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体上的第一部件；和包含导电材料、贯穿被配备在所述第二区域中的所述绝缘体上的所述第一部件并与所述布线层连接的插头。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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