[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。

背景技术

近年来，在作为一种类型的半导体装置的固态成像装置中，为了提高入射到光电转换部分上的光量，提出了具有光波导的固态成像装置。

日本专利公开No.2009-272568公开了具有用于形成波导的蚀刻阻止膜的固态成像装置。另外，日本专利公开No.2009-272568还公开了在焊盘部分上配备形成波导的高折射率部件的结构。本发明的发明人发现了以下问题。根据在日本专利公开No.2009-272568中描述的固态成像装置的结构，在成像区域和周边区域之间不利地形成了阶跃(step)。由于阶跃导致了绝缘层的厚度的不规则性，因此，例如，在成像区域中导致了图像的不规则性和颜色的不规则性。另外，难以以高精度在具有阶跃的层上形成诸如芯片上滤色器或芯片上微透镜的结构体。另外，在除固态成像装置以外的半导体装置中，伴随集成度的增加，装置的高度也增加，因而，存在不能很容易地在制造过程中执行平坦化的问题。

如上所述，根据日本专利公开No.2009-272568，难以提供具有高精度的半导体装置并以高精度形成半导体装置。考虑以上问题，本发明的发明人提供可以很容易地执行平坦化的半导体装置的制造方法和执行平坦化的半导体装置。

发明内容

根据本发明的一个方面，一种半导体装置包括：包含第一区域和第二区域的半导体基板；被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中并在所述第一区域中具有开口的绝缘体；被所述绝缘体包围的布线层；被配备在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体上的第一部件；和包含导电材料、贯穿被配备在所述第二区域中的所述绝缘体上的所述第一部件并与所述布线层连接的插头。

另外，根据本发明的另一方面的一种制造半导体基板的方法是一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有包含第一区域和第二区域的半导体基板、被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中的绝缘体和被所述绝缘体包围的布线层，上述方法包括以下步骤：在被设置于所述第一区域中的所述绝缘体的一部分中形成开口；在所述形成开口的步骤之后，在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体上形成第一部件；通过去除所述第一部件的被设置于所述第二区域中的部分的至少一部分，形成通孔；和形成插头。

另外，根据本发明的另一方面的一种制造半导体基板的方法是一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有包含第一区域和第二区域的半导体基板、包含被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中的第一氮化硅膜和被配备在所述第一氮化硅膜上的第一氧化硅膜的绝缘体以及被所述绝缘体包围且被配备在所述第一氮化硅膜下面的布线层。上述制造半导体装置的方法包括以下步骤：在被设置于所述第一区域中的所述绝缘体的一部分中形成开口；在所述形成开口的步骤之后，形成包含在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体的所述第一氧化硅膜上的第二氮化硅膜的第一部件；在所述第二区域中的所述第二氮化硅膜上形成第二氧化硅膜；和通过去除被设置于所述第二区域中的所述第一氮化硅膜、所述第一氧化硅膜、所述第二氮化硅膜和所述第二氧化硅膜的各部分中的多个部分，形成通孔以露出所述布线层，其中，所述形成通孔的步骤包含以下步骤：在所述第一氮化硅膜中形成开口；在所述第一氧化硅膜中形成开口；在所述第二氮化硅膜中形成开口；和在所述第二氧化硅膜中形成开口。

参照附图阅读示例性实施例的以下说明，本发明的其它特征将变得十分明显。

附图说明

图1A至1C是示意性断面图，其每一个都示出了一种制造例子1的固态成像装置的方法。

图2A至2C是示意性断面图，其每一个都示出了一种制造例子1的固态成像装置的方法。

图3是示出了例子1的固态成像装置的平面结构的示意图。

图4A至4C是示意性断面图，其每一个都示出了一种制造例子2的固态成像装置的方法。

图5A和图5B是示意性断面图，其每一个都示出了一种制造例子2的固态成像装置的方法。

图6A和6B是示意性断面图，其每一个都示出了一种制造例子2的固态成像装置的方法。

包含于说明书中并构成其一部分的附图示出了本发明的实施例，并与以下描述一起用于解释本发明的原理。

具体实施方式