[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

包含第一区域和第二区域的半导体基板；

被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中并在所述第一区域中具有开口的绝缘体；

被所述绝缘体包围的布线层；

被配备在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体上的第一部件；和

包含导电材料、贯穿被配备在所述第二区域中的所述绝缘体上的所述第一部件并与所述布线层连接的插头。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

被配备在所述第一区域中的光电转换部分；和

被配备在所述第二区域中并处理来自所述光电转换部分的信号的信号处理电路，

其中，所述开口位于所述光电转换部分之上并与之对应，以及

所述第一部件具有比所述绝缘体的折射率高的折射率并与所述绝缘体一起形成波导。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

在所述第一部件上的绝缘膜，所述绝缘膜与所述第一部件一起被所述插头贯穿；和

在所述绝缘膜和所述插头上的另一布线层。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，还包括：

覆盖所述另一布线层的至少一部分的平坦化层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，还包括：

在所述平坦化层上的滤色器和微透镜。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘体包含多个绝缘膜。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：

被配备在所述开口内且在所述第一部件上的第二部件，

其中，所述插头贯穿所述第二部件和所述第一部件。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第二区域中，所述绝缘体具有平坦的上表面，并且所述第一部件具有平坦的上表面。

9.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有包含第一区域和第二区域的半导体基板、被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中的绝缘体和被所述绝缘体包围的布线层，所述方法包括以下步骤：

在被设置于所述第一区域中的所述绝缘体的一部分中形成开口；

在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体上形成第一部件；

通过去除所述第一部件的被设置于所述第二区域中的部分的至少一部分，形成通孔；和

形成插头。

10.根据权利要求9所述的制造半导体装置的方法，其中，所述形成第一部件的步骤包含以下步骤：

执行所述第一部件的上表面的平坦化处理。

11.根据权利要求9所述的制造半导体装置的方法，在所述形成插头的步骤之前，所述方法还包括以下步骤：

由与其上的第一部件的材料不同的材料形成绝缘膜，

其中，所述形成插头的步骤包含以下步骤：

去除所述绝缘膜的至少一部分。

12.一种制造半导体装置的方法，所述半导体装置具有包含第一区域和第二区域的半导体基板、包含被设置于所述半导体基板的所述第一区域和所述第二区域中的第一氮化硅膜和被配备在所述第一氮化硅膜上的第一氧化硅膜的绝缘体以及被所述绝缘体包围且被配备在所述第一氮化硅膜下面的布线层，所述方法包括以下步骤：

在被设置于所述第一区域中的所述绝缘体的一部分中形成开口；

形成第一部件，所述第一部件包含在所述开口内且在所述第二区域中的所述绝缘体的所述第一氧化硅膜上的第二氮化硅膜；

在所述第二区域中的所述第二氮化硅膜上形成第二氧化硅膜；和

通过去除被设置于所述第二区域中的所述第一氮化硅膜、所述第一氧化硅膜、所述第二氮化硅膜和所述第二氧化硅膜的各部分中的多个部分，形成通孔以露出所述布线层，

其中，所述形成通孔的步骤包含以下步骤：在所述第一氮化硅膜中形成开口；在所述第一氧化硅膜中形成开口；在所述第二氮化硅膜中形成开口；和在所述第二氧化硅膜中形成开口。

13.根据权利要求12所述的制造半导体装置的方法，其中，与所述在所述第二氮化硅膜中形成开口的步骤相比，所述在所述第一氮化硅膜中形成开口的步骤执行以下之一：增加还原气体量、减少氧化气体量和与减少氧化气体量一起增加还原气体量。