[发明专利]晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法有效
| 申请号： | 201210028171.6 | 申请日： | 2012-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN103243378A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘朝轩;王晨光 | 申请（专利权）人： | 洛阳金诺机械工程有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 471009 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法，涉及一种晶体材料的生长设备，在炉室(2)内设有坩埚(7)，坩埚的下部处于多层套筒内，多层套筒下端处于于支撑环上，支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上，形成坩埚的下部独立空间；在多层套筒外部设有发热体(5)；冷却介质降温机构设置在多层套筒内的下部；由冷却介质降温机构获取的坩埚底部低温区形成坩埚的温度梯度；当发热体对坩埚加热时，通入坩埚下部的冷却介质降温机构的冷气便会处于多层套筒内，最大可能的使冷能不外泄；而此时的发热体也受到冷能的影响最小，较好的实现了坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度；由于多层筒套的作用，可确保坩埚极少出现非均匀晶核。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 利用 多层 套筒 形成 温度梯度 控制 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构，其特征是：包括炉室(2)、发热体(5)、多层套筒、坩埚(7)和冷却介质降温机构，在炉室(2)内设有坩埚(7)，坩埚(7)的下部处于多层套筒内，所述多层套筒下端处于炉室底板或底部保温层(16)上；或多层套筒下端处于支撑环上，所述支撑环处于炉室底板或底部保温层(16)上，在多层套筒外部设有发热体(5)；冷却介质降温机构设置在所述多层套筒内的下部；由冷却介质降温机构获取坩埚(7)底部低温区，所述低温区形成坩埚(7)上部温度高下部温度底的温度梯度。
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