[发明专利]晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种晶体材料的生长设备，具体地说本发明涉及一种生长蓝宝石、多晶硅或单晶硅等晶体材料生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法。

【背景技术】

在多晶硅、单晶硅或蓝宝石等晶体材料生长过程中，其中多晶硅碎料在坩埚中生长成为多晶硅锭以及多晶硅转换为单晶硅时，通过对坩埚的加热温度控制，并利用设置在坩埚底部的籽晶，使融化并围绕籽晶新生长的晶体按照籽晶的晶粒排列方式进行排列：其中籽晶为单晶时，新生长晶体的硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，这些晶核长成与籽晶晶面取向相同的晶粒，则新生长的晶体就是单晶硅；若籽晶为多晶时，这些晶核长成与籽晶晶面取向不同的晶粒，则新生长的晶体就是多晶硅；但是这个过程必须是在一个密闭的炉体内完成的。

在新晶体生长的过程中，炉室内的坩埚需要形成下低上高的温度梯度，为了形成温度梯度，传统设备通过改变坩埚的下部保温效果，增加热量的散失以便形成坩埚所需的下低上高的温度梯度。

也有技术是通过在下轴内通入液氦等低温流体，由低温流体实现带走坩埚下部热量的目的，从而形成坩埚上下的温度差“温度梯度”的效果；以热交换法为例，其生长方法为：

A、首先通过加热体加热熔化坩埚内的晶体材料碎料，使碎料熔体温度保持略高于熔点5～10℃；

B、待坩埚底部设置的籽晶上端部分被熔化时“这时晶体材料碎料也已经融化”，开始缓慢下降炉室内的温度“同时也使坩埚的温度降低，以便融化的晶体材料碎料结晶”；

C、对炉室内坩埚底部的下轴注入氦气，通过下轴的温度传递对坩埚底部进行强制冷却，这一过程中首先感知低温的是坩埚底部以及设置在坩埚内底部的籽晶，低温会随着籽晶向融化的晶体材料碎料辐射；

D、融化的晶体材料就会以籽晶为核心，逐渐生长出充满整个坩埚的晶体；这便是晶体材料的结晶过程。

上述方式在生长时所需要件包括：坩埚的底部必须与下轴紧密连接，形成温度导体；前期加热坩埚时耗热量极大；坩埚在加热过程中由于摆放角度的原因，使得加热体对于坩埚的加热不均匀，使得坩埚四周的外缘面容易形成部分距离较近处较热，其它相对于较热部分的温度较冷，这种环境下便会出现非均匀晶核。

同理，蓝宝石的加工方法包括提拉法、坩埚下降法、导模法、热交换法、泡生法等，针对目前对蓝宝石制备的方法，以上制备方法都采用支撑体旋转带动坩埚同步旋转的方案，坩埚内的蓝宝石结晶过程受到微震使得结晶过程出现晶震现象而形成部分晶体错位，造成品质下降。即使是温度梯度法生长蓝宝石，也会出现坩埚在加热过程中摆放角度的偏差，使得加热体对于坩埚的加热不均匀，生长出的蓝宝石容易出现非均匀晶核。

为了克服前述问题，本发明人在先专利申请“一种生长晶体材料时的温度梯度控制装置及其方法，由于受理通知书尚未到达，因此在本专利申请中并未给出申请号，如需查询可通过后期检索查阅该专利申请文献”中公开了增加套筒形成的温度梯度控制，实际使用中的温度梯度控制较好的实现了发明人的诉求，但是发明人通过实验发现单层的套筒效果略逊于多层套筒。

【发明内容】

为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构及方法，利用所述多层套筒最大可能的使坩埚下部的冷能不外泄，使得坩埚形成温度梯度控制。

为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构，包括炉室、发热体、多层套筒、坩埚和冷却介质降温机构，在炉室内设有坩埚，坩埚的下部处于多层套筒内，所述多层套筒下端处于炉室底板或底部保温层上；或多层套筒下端处于支撑环上，所述支撑环处于炉室底板或底部保温层上，在多层套筒外部设有发热体；冷却介质降温机构设置在所述多层套筒内的下部；由冷却介质降温机构获取坩埚底部低温区，所述低温区形成坩埚上部温度高下部温度底的温度梯度。

所述的晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构，在发热体的外部炉室内设有保温罩。

所述的晶体生长时利用多层套筒形成的温度梯度控制结构，所述冷却介质降温机构包括下轴、多层套筒，所述下轴内接通循环的冷却介质，多层套筒内所述下轴中的冷却介质形成坩埚的温度梯度控制，所述坩埚的下部与下轴的上端连接或间隔设置，下轴的下部穿过炉室底板或底部保温层后连通冷却介质。