[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示装置

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示装置。该薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括位于基板上的有源层和电容器的位于与有源层相同的水平上的下电极，位于有源层和下电极上且具有使下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；TFT的位于第一绝缘层上的栅电极，和电容器的位于下电极和第一绝缘层上的上电极，上电极具有使第一空隙和第一绝缘层的一部分暴露的第二空隙；布置在栅电极和源电极以及漏电极之间的第二绝缘层，该第二绝缘层未布置在上电极上、第一绝缘层的第一空隙中或上电极的所述第二空隙中。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，包括：薄膜晶体管的布置在基板上的有源层和电容器的布置在与所述有源层相同的水平上的下电极；布置在所述有源层和所述下电极上且具有使所述下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；所述薄膜晶体管的布置在所述第一绝缘层上的栅电极，和所述电容器的布置在所述下电极和所述第一绝缘层上的上电极，所述电容器的所述上电极具有使所述第一空隙和所述第一绝缘层的一部分暴露的第二空隙；电连接到所述有源层的源极区域和漏极区域的源电极和漏电极；布置在所述栅电极和所述源电极之间、所述栅电极和所述漏电极之间的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层未布置在所述电容器的所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中或所述上电极的所述第二空隙中；连接到所述源电极或所述漏电极的像素电极；以及覆盖所述源电极和所述漏电极且使所述像素电极暴露的第三绝缘层。