[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

薄膜晶体管的布置在基板上的有源层和电容器的布置在与所述有源层相同的水平上的下电极；

布置在所述有源层和所述下电极上且具有使所述下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；

所述薄膜晶体管的布置在所述第一绝缘层上的栅电极，和所述电容器的布置在所述下电极和所述第一绝缘层上的上电极，所述电容器的所述上电极具有使所述第一空隙和所述第一绝缘层的一部分暴露的第二空隙；

电连接到所述有源层的源极区域和漏极区域的源电极和漏电极；

布置在所述栅电极和所述源电极之间、所述栅电极和所述漏电极之间的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层未布置在所述电容器的所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中或所述上电极的所述第二空隙中；

连接到所述源电极或所述漏电极的像素电极；以及

覆盖所述源电极和所述漏电极且使所述像素电极暴露的第三绝缘层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述有源层和所述下电极包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述上电极包括与用于形成所述像素电极的材料相同的材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述上电极和所述像素电极包括透明导电性材料。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述透明导电性材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓以及氧化锌铝中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述像素电极布置在所述第二绝缘层上。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二绝缘层包括使所述像素电极暴露的开口，且所述像素电极布置在所述第二绝缘层上的所述开口中。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述源电极和所述漏电极的蚀刻速率不同于所述上电极和所述像素电极的蚀刻速率。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第三绝缘层布置在所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中以及所述上电极的所述第二空隙中。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为无机绝缘层。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第三绝缘层为有机绝缘层。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中布线和位于与所述下电极相同的水平上、连接到所述下电极的布线连接单元设置在所述下电极处。

13.根据权利要求12所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述布线和所述布线连接单元包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

14.一种有机发光显示装置，包括：

薄膜晶体管的布置在基板上的有源层和电容器的布置在与位于所述基板上的所述有源层相同的水平上的下电极；

布置在所述有源层和所述下电极上且具有使所述下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；

所述薄膜晶体管的布置在所述第一绝缘层上的栅电极，和所述电容器的布置在所述下电极和所述第一绝缘层上的上电极，所述电容器的所述上电极具有使所述第一绝缘层的一部分和所述第一空隙暴露的第二空隙；

分别电连接到所述有源层的源极区域和漏极区域的源电极和漏电极；

布置在所述栅电极和所述源电极之间、所述栅电极和所述漏电极之间的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层未布置在所述电容器的所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中或所述上电极的所述第二空隙中；

连接到所述源电极或所述漏电极的像素电极；

覆盖所述源电极和所述漏电极且使所述像素电极暴露的第三绝缘层；

布置在所述像素电极上的有机发射层；以及

布置在所述有机发射层上的反电极。

15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其中所述反电极为反射从所述有机发射层发出的光的反射电极。