[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法以及有机发光显示装置

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求2011年8月4日提交的申请号为10-2011-0077846的韩国专利申请的权益，通过引用将其整个内容合并于此。

技术领域

本发明实施例涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板、包括该TFT阵列基板的有机发光显示装置以及制造该TFT阵列基板的方法。

背景技术

诸如有机发光显示装置和液晶显示器(LCD)的平板显示器包括例如薄膜晶体管(TFT)、电容器以及连接TFT至电容器的布线。

发明内容

根据实施例，提供一种薄膜晶体管(TFT)阵列基板，包括：TFT的布置在基板上的有源层和电容器的布置在与所述有源层相同的水平上的下电极；布置在所述有源层和所述下电极上且具有使所述下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；所述TFT的布置在所述第一绝缘层上的栅电极，和所述电容器的布置在所述下电极和所述第一绝缘层上的上电极，所述电容器的所述上电极具有使所述第一空隙和所述第一绝缘层的一部分暴露的第二空隙；电连接到所述有源层的源极区域和漏极区域的源电极和漏电极；布置在所述栅电极和所述源电极之间、所述栅电极和所述漏电极之间的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层未布置在所述电容器的所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中或所述上电极的所述第二空隙中；连接到所述源电极或所述漏电极的像素电极；以及覆盖所述源电极和所述漏电极且使所述像素电极暴露的第三绝缘层。

所述有源层和所述下电极可包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

所述上电极可包括与用于形成所述像素电极的材料相同的材料。

所述上电极和所述像素电极可包括透明导电性材料。

所述透明导电性材料可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)以及氧化锌铝(AZO)中的至少一种。

所述像素电极可布置在所述第二绝缘层上。

所述第二绝缘层可包括使所述像素电极暴露的开口，且所述像素电极可布置在所述第二绝缘层上的所述开口中。

所述源电极和所述漏电极的蚀刻速率可不同于所述上电极和所述像素电极的蚀刻速率。

所述第三绝缘层可布置在所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中以及所述上电极的所述第二空隙中。

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为可无机绝缘层。

所述第三绝缘层可为有机绝缘层。

布线和位于与所述下电极相同的水平上、连接到所述下电极的布线连接单元可设置在所述下电极处。

所述布线和所述布线连接单元可包括掺杂有离子杂质的半导体材料。

根据实施例，提供一种有机发光显示装置，包括：薄膜晶体管(TFT)的布置在基板上的有源层和电容器的布置在与位于所述基板上的所述有源层相同的水平上的下电极；布置在所述有源层和所述下电极上且具有使所述下电极的区域暴露的第一空隙的第一绝缘层；所述TFT的布置在所述第一绝缘层上的栅电极，和所述电容器的布置在所述下电极和所述第一绝缘层上的上电极，所述电容器的所述上电极具有使所述第一绝缘层的一部分和所述第一空隙暴露的第二空隙；分别电连接到所述有源层的源极区域和漏极区域的源电极和漏电极；布置在所述栅电极和所述源电极之间、所述栅电极和所述漏电极之间的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层未布置在所述电容器的所述上电极上、所述第一绝缘层的所述第一空隙中或所述上电极的所述第二空隙中；连接到所述源电极或所述漏电极的像素电极；覆盖所述源电极和所述漏电极且使所述像素电极暴露的第三绝缘层；布置在所述像素电极上的有机发射层；以及布置在所述有机发射层上的反电极。

所述反电极可为反射从所述有机发射层发出的光的反射电极。