[发明专利]非易失性半导体存储装置

摘要

本发明涉及非易失性半导体存储装置。在写入时，执行对第一存储器基元的第一写入操作；以及执行向与所述第一存储器基元邻近的第二存储器基元提供第一阈值电压分布的第二写入操作。所述第一阈值电压分布是正阈值电压分布当中的最低阈值电压分布。验证是否已在所述第一存储器基元中获得所希望的阈值电压分布(第一写入验证操作)，而且，验证是否已在所述第二存储器基元中获得所述第一阈值电压分布或电压水平大于所述第一阈值电压分布的阈值电压分布(第二写入验证操作)。控制器电路输出所述第一写入验证操作和所述第二写入验证操作的结果。

主权项

一种非易失性半导体存储装置，包括：存储器基元阵列，其中包括多个存储器基元；以及被配置为控制施加于所述多个存储器基元的电压的控制电路，所述控制电路被配置为向所述存储器基元提供至少部分地为负从而擦除所述存储器基元的保留数据的阈值电压分布，以及为所述存储器基元提供多种类型正阈值电压分布，从而将多种类型数据写入所述存储器基元，所述控制电路被配置为在所述存储器基元的写入操作中，执行：用于为写入对象第一存储器基元提供多种类型正阈值电压分布的第一写入操作；用于验证是否已在所述第一存储器基元中获得所述多种类型正阈值电压分布的第一写入验证操作；用于为与所述第一存储器基元邻近的第二存储器基元提供第一阈值电压分布的第二写入操作；所述第一阈值电压分布是所述多种类型正阈值电压分布当中的最低阈值电压分布；以及用于验证是否已在所述第二存储器基元中获得所述第一阈值电压分布或电压水平大于所述第一阈值电压分布的阈值电压分布的第二写入验证操作，以及输出所述第一写入验证操作和所述第二写入验证操作的结果。