[发明专利]一种半导体存储装置及其版图

摘要

本发明公开了一种半导体存储装置，包括：由多个存储单元构成的存储阵列，每个存储单元由一个浮栅结构的金属氧化物半导体MOS晶体管构成，每个浮栅结构的MOS晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，位于同一行的每个浮栅结构的MOS晶体管的栅极共同连接至同一字线WL；位于同一列的相邻两个浮栅结构的MOS晶体管的源极相互连接或者漏极相互连接；位于同一列的每个浮栅结构的MOS晶体管的漏极连接至同一位线BL；位于同一行的每个浮栅结构的MOS晶体管的源极连接至同一源线SL；多个存储单元通过源线SL进一步连接到公共源线BSL。本发明所述的半导体存储装置与传统的半导体存储装置相比，减小了存储阵列面积，提高了系统集成度。

主权项

一种半导体存储装置，其特征在于，包括：由多个存储单元构成的存储阵列，每个存储单元由一个金属氧化物半导体MOS晶体管构成，每个MOS晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，位于同一行的每个MOS晶体管的栅极共同连接至同一字线WL；位于同一列的相邻两个MOS晶体管的源极相互连接或者漏极相互连接；位于同一列的每个MOS晶体管的漏极连接至同一位线BL；位于同一行的每个MOS晶体管的源极连接至同一源线SL；多个存储单元通过源线SL进一步连接到公共源线BSL；其中，公共源线BSL由多个预定阈值MOS晶体管构成，每个预定阈值MOS晶体管包括栅极、源极和漏极。