[发明专利]一种半导体存储装置及其版图

权利要求书

1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

由多个存储单元构成的存储阵列，每个存储单元由一个金属氧化物半导体MOS晶体管构成，每个MOS晶体管包括栅极、源极和漏极，其中，

位于同一行的每个MOS晶体管的栅极共同连接至同一字线WL；

位于同一列的相邻两个MOS晶体管的源极相互连接或者漏极相互连接；

位于同一列的每个MOS晶体管的漏极连接至同一位线BL；

位于同一行的每个MOS晶体管的源极连接至同一源线SL；

多个存储单元通过源线SL进一步连接到公共源线BSL；其中，

公共源线BSL由多个预定阈值MOS晶体管构成，每个预定阈值MOS晶体管包括栅极、源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

金属氧化物半导体MOS晶体管为浮栅结构的金属氧化物半导体MOS晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

公共源线BSL的相邻两个预定阈值MOS晶体管的源极相互连接或者漏极相互连接。

4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

预定阈值MOS晶体管的栅极与位于同一行的MOS晶体管的栅极共同连接至字线WL。

5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，

预定阈值MOS晶体管的源极与位于同一行的MOS晶体管的源极共同连接至源线SL。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

半导体存储装置在读取、编程、和检验操作中，预定阈值MOS晶体管保持导通状态。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

半导体存储装置在擦除操作中，预定阈值MOS晶体管处于可恢复的穿通状态。

8.根据权利要求1-7所述的半导体存储装置，其特征在于，

预定阈值MOS晶体管为零阈值MOS晶体管和耗尽型MOS晶体管，其中，在90nm和65nm工艺下，零阈值MOS晶体管的阈值范围在-0.2V到0.2V之间，耗尽型MOS晶体管的阈值范围在-2V到-1V之间。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

连接至同一公共源线BSL连接的存储单元的数量为预定值M，其中，

M＝2ⁿx2^m，其中，m、n分别为大于或等于2的整数。

10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，

半导体存储装置为闪存Flash存储器。

11.根据权利要求10所述的半导体存储装置，其特征在于，

闪存Flash存储器包括：NOR Flash存储器、NAND Flash存储器。

12.一种根据权利要求1所述的半导体存储装置的版图，其特征在于，

公共源线BSL的接触孔的尺寸与存储单元的接触孔的尺寸相同。

13.根据权利要求12所述的版图，其特征在于，

公共源线BSL的宽度与存储单元的宽度相同。