[发明专利]用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210018436.4 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103219395B | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 高隆庆;陈美玲;赵国梁;郭鸿鑫 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 梁挥,常大军 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 香港;81 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，该多沟渠终端结构包含一多沟渠结构，该些沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该半导体元件的一终端结构区；一栅极绝缘层，形成于该多沟渠结构的表面上；一导电层，形成于该栅极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板的该露出表面；以及一金属层，形成于该第一掩膜层及该终端结构区的导电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 元件 沟渠 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于半导体元件的多沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，其特征在于，该多沟渠终端结构包含：一多沟渠结构，包含多个沟渠，该多个沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该半导体元件的一终端结构区；一栅极绝缘层，形成于该多沟渠结构的表面上；一导电层，形成于该栅极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板的该露出表面；一金属层，形成于该第一掩膜层及该终端结构区的导电层上，其中该金属层直接接触到该第一掩膜层及该终端结构区的导电层；以及一钝态保护层，覆盖于该终端结构区的金属层上；其中于该终端结构区中，该导电层上方不具有该第一掩膜层，且该导电层直接接触到该金属层；其中于该主动结构区中不具有该第一掩膜层；其中该钝态保护层并未延伸到该主动结构区。
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