[发明专利]用于半导体元件的多沟渠终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种用于半导体元件的多沟渠终端结构，该半导体元件包含一半导体基板及一主动结构区，其特征在于，该多沟渠终端结构包含：

一多沟渠结构，包含多个沟渠，该多个沟渠形成于该半导体基板的一露出表面上；

一第一掩膜层，形成于该半导体基板的部分表面上，其中该部分表面对应于该半导体元件的一终端结构区；

一栅极绝缘层，形成于该多沟渠结构的表面上；

一导电层，形成于该栅极绝缘层上，该导电层并凸出于该半导体基板的该露出表面；以及

一金属层，形成于该第一掩膜层及该终端结构区的导电层上。

2.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该半导体基板包含一高掺杂浓度的硅基板与一低掺杂浓度的磊晶层。

3.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该栅极绝缘层为栅极氧化层或是栅极氮化物层。

4.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该导电层为多晶硅层或是导电金属层。

5.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该金属层为溅镀或是蒸镀金属层。

6.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该金属层包含有：一第一金属层，及一第二金属层，形成于该第一金属层上；其中该第一金属层以一钛金属而完成，而该第二金属层为铝、硅、铜的合金。

7.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该半导体元件为萧基二极管、闸流体、pn接面二极管或是金氧半场效晶体管。

8.根据权利要求1所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，还包含一钝态保护层，覆盖于该终端结构区的金属层上。

9.根据权利要求8所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构，其特征在于，该钝态保护层为硼磷氧化层、四乙基硅氧烷层、或是氮化硅层。

10.一种用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，包含下列步骤：

a).提供一半导体基板，该半导体基板包含一主动结构区及一终端结构区；

b).于该半导体基板上形成一第一掩膜层，该第一掩膜层至少对应于该终端结构区；

c).根据该第一掩膜层对该半导体基板进行蚀刻，以于该半导体基板中形成一多沟渠结构，该多沟渠结构包含多个的沟渠；

d).于该多沟渠结构的表面上形成一栅极绝缘层；

e).于该栅极绝缘层上形成一导电层；

f).形成一金属层，该金属层至少覆盖于该第一掩膜层上，及至少覆盖该终端结构区的导电层上。

11.根据权利要求10所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，该半导体基板包含一高掺杂浓度的硅基板与一低掺杂浓度的磊晶层。

12.根据权利要求10所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，步骤b还包含下列步骤：

于该半导体基板的表面上形成一第一氧化层；

于该第一氧化层上形成一第一光阻层，且定义该第一光阻层具有一第一光阻图案；及

根据该第一光阻图案对该第一氧化层进行蚀刻，以将该第光阻图案转移至该第一氧化层上而形成该第一掩膜层。

13.根据权利要求12所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，该第一光阻图案和该多沟渠结构的样式相对应。

14.根据权利要求10所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，该导电层为一多晶硅层或是金属层。

15.根据权利要求14所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，该方法包含步骤e1：

于该多晶硅层内进行一离子布植工艺。

16.根据权利要求10所述的用于半导体元件的多沟渠终端结构制作方法，其特征在于，形成该金属层包含下列步骤：于步骤f后所得结构上进行一金属溅镀或蒸镀工艺，以形成一第一金属层；以及于该第一金属层上进行该金属溅镀或蒸镀工艺，以形成一第二金属层，而该第一金属层与该第二金属层构成为该金属层。