[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210018042.9 | 申请日： | 2012-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN102623605A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 伊藤俊秀;岡俊行;布上真也 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括第一和第二导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部件。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一和第二导电层能够透射从发光部件发出的光。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件包括：第一导电层；第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层被提供在所述第一导电层和所述第一半导体层之间；发光部件，被提供在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；第二导电层，在所述第二半导体层和所述第一导电层之间并与所述第二半导体层和所述第一导电层接触，所述第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体，所述第一导电层能够透射从所述发光部件发出的光，以及所述第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，所述第二平均晶粒直径小于所述第一平均晶粒直径，并且所述第二导电层能够透射所述光。
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