[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件包括：

第一导电层；

第一导电类型的第一半导体层；

第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层被提供在所述第一导电层和所述第一半导体层之间；

发光部件，被提供在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；

第二导电层，在所述第二半导体层和所述第一导电层之间并与所述第二半导体层和所述第一导电层接触，

所述第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体，所述第一导电层能够透射从所述发光部件发出的光，以及

所述第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，所述第二平均晶粒直径小于所述第一平均晶粒直径，并且所述第二导电层能够透射所述光。

2.根据权利要求1的器件，其中所述二导电层的厚度小于等于100纳米。

3.根据权利要求1的器件，其中所述第一导电层的厚度和所述第二导电层的厚度的总和为大于150纳米并且小于等于200纳米或大于等于260纳米并且小于等于330纳米。

4.根据权利要求1的器件，其中所述第一导电层和所述第二导电层包括氧化物，所述氧化物包括选自In、Sn、Zn和Ti组成的组中的至少一种元素。

5.根据权利要求1的器件，还包括第三导电层，其对所述光的透射率低于所述第一导电层的透射率并且低于所述第二导电层的透射率。

所述第一导电层具有：

第一部分，在所述第三导电层和所述第二半导体层之间并与所述第三导电层和所述第二半导体层接触；

第二部分，未被所述第三导电层覆盖并且覆盖所述第二导电层的至少一部分。

6.根据权利要求5的器件，其中所述第三导电层是金属层。

7.根据权利要求1的器件，其中所述第二导电层的厚度小于所述第一导电层的厚度。

8.根据权利要求1的器件，其中所述第二导电层的厚度小于等于50纳米。

9.根据权利要求1的器件，其中所述第一导电层的厚度大于等于50纳米并且小于等于400纳米。

10.根据权利要求1的器件，其中所述第一平均晶粒直径大于等于150纳米并且小于等于1微米。

11.根据权利要求1的器件，其中所述第二平均晶粒直径大于等于10纳米。

12.一种制造半导体发光器件的方法，所述半导体发光器件包括：第一导电层；第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，所述第二半导体层被提供在所述第一导电层和所述第一半导体层之间；发光部件，被提供在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间；以及第二导电层，在所述第二半导体层和所述第一导电层之间并与所述第二半导体层和所述第一导电层接触，所述第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体，所述第一导电层能够透射从所述发光部件发出的光，以及所述第二导电层包括具有小于所述第一平均晶粒直径的第二平均晶粒直径的多晶体，并且所述第二导电层能够透射所述光，所述方法包括以下步骤：

采用溅射方法使用第一电功率在惰性气体气氛中在所述第二半导体层上形成作为所述第二导电层的第一膜；

采用溅射方法使用比所述第一电功率小的第二电功率在惰性气体气氛中在所述第一膜上形成作为所述第一导电层的第二膜；以及

通过在包括氧的气氛中对所述第一膜和所述第二膜进行热处理形成所述第一导电层和所述第二导电层。

13.根据权利要求12的方法，其中在形成所述第二膜和所述热处理之间将所述第一膜和所述第二膜处理为预定形状。

14.根据权利要求12的方法，其中在不包括氧的气氛中形成所述第一膜和所述第二膜。

15.根据权利要求12的方法，其中在包括氧的气氛中的所述热处理之后，进一步对所述第一膜和所述第二膜进行在还原气氛中的热处理。

16.根据权利要求12的方法，其中所述第二膜是非晶的。

17.根据权利要求12的方法，其中所述第二平均晶粒直径小于等于150纳米。

18.根据权利要求12的方法，其中所述第一平均晶粒直径大于等于150纳米并且小于等于1微米。