[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求2011年1月26日提交的在先的日本专利申请No.2011-14117的优先权，在此引入其整个内容作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

最近几年，使用GaN基半导体的蓝光和绿光发光二极管的研究和发展已公开。在FU(面朝上)型发光二极管中，即二极管具有从生长衬底的对面输出光线的结构，例如，在P-型GaN接触层上使用ITO(氧化铟锡)作为导电层。要求此导电层具有极好的电学特性，例如体积电阻和接触电阻，以及极好的可加工性。

发明内容

一般地，根据一个实施例，半导体发光器件包括第一导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、发光部件和第二导电层。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第一导电层能够透射从发光部件发出的光。第二导电层包括具有小于等于150纳米的第二平均晶粒直径的多晶体，第二平均晶粒直径小于第一平均晶粒直径，并且第二导电层能够透射所述光。

一般地，根据另一个实施例，公开了一种半导体发光器件的制造方法。半导体发光器件包括：第一导电层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、发光部件和第二导电层。在第一导电层和第一半导体层之间提供第二半导体层。在第一半导体层和第二半导体层之间提供发光部件。第二导电层在第二半导体层和第一导电层之间并与第二半导体层和第一导电层接触。第一导电层包括具有第一平均晶粒直径的多晶体。第一导电层能够透射从发光部件发出的光。第二导电层包括具有小于第一平均晶粒直径的第二平均晶粒直径的多晶体，并且第二导电层能够透射所述光。该方法包括采用溅射方法使用第一电功率在惰性气体气氛中在第二半导体层上形成作为第二导电层的第一膜。该方法可以包括采用溅射方法使用比第一电功率小的第二电功率在惰性气体气氛中在第一膜上形成作为第一导电层的第二膜。另外，该方法可以包括通过对第一膜和第二膜在包括氧的气氛中进行热处理形成第一导电层和第二导电层。

附图说明

图1为示例了根据实施例的半导体发光器件的配置的截面图；

图2A到2C根据实施例示出了半导体发光器件的一部分的配置的截面图；

图3A到3C根据实施例示出了半导体发光器件的一部分的配置的截面图；

图4A到4C是透明导电膜的微观图像；

图5A到5C是示例了半导体发光器件的特性的图；

图6是示例了根据实施例的半导体发光器件的特性的图；

图7是示例了根据实施例的半导体发光器件的制造方法的流程图；

图8A到8C是按工艺的顺序的截面图，示出了根据实施例的半导体发光器件的制造方法；

图9是示出了根据实施例的另一个半导体发光器件的配置的截面图；以及

图10是示出了根据实施例的另一个半导体发光器件的配置的截面图。

具体实施方式

下文中将参考附图描述不同的实施例。

附图是示意性的或概念性的；因此，每部分的厚度和宽度之间的关系，每部分的大小之间的比例等等不必与实际值相同。另外，在图中，即使对相同的部分示出的维度和比例也可能不同。

在申请书和申请书的附图中，上述图中描述的那些相似的组件使用相似的标号标记，详细的描述进行了酌情省略。

(实施例)

图1根据实施例示出了半导体发光器件的结构的截面图；

如图1所示，根据实施例的半导体发光器件110包括第一导电类型的第一半导体层10，第二导电类型的第二半导体层20，发光部件30和第一导电层51和第二导电层52。

在第一导电层51和半导体层20之间提供第二半导体层20。

在第一半导体层10和第二半导体层20之间提供发光部件30。

第一导电层51包括多晶体。第一导电层51可透射从发光部件30发出的光。

第二导电层52在第二半导体层20和第一导电层51之间并与第二半导体层20和第一导电层51接触。第二导电层52包括多晶体，第二导电层52可透射上述光。

即，在第一半导体层10上提供发光部件30。在发光部件30上提供第二半导体层20。在第二半导体层20上提供第二导电层52。在第二导电层52上提供第一导电层51。