[发明专利]阻变存储器及其制造方法无效
申请号: | 201210016812.6 | 申请日: | 2012-01-18 |
公开(公告)号: | CN102544365A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 康晋锋;傅亦晗;陈冰;高滨;刘力锋;刘晓彦 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是一种阻变存储器及其制造方法,该阻变存储器包括多个阻变存储单元;每个阻变存储单元包括衬底(101)、在衬底(101)上依次沉积的底电极(102)、阻变层(103)和具有针尖状突出部(1041)的上电极(104)。本发明使用具有刻蚀成针尖状的突出部的上电极来使电场集中在电极尖端附近,从而使导电通道在针尖附近产生,并使得导电通道的通断位置相对固定,这样可以降低阻变存储器的工作电压并提高其高低阻值分布的一致性。 | ||
搜索关键词: | 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阻变存储器,其特征在于,包括多个阻变存储单元;每个阻变存储单元包括衬底(101)、在衬底(101)上依次沉积的底电极(102)、阻变层(103)和具有针尖状突出部(1041)的上电极(104)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210016812.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。