[发明专利]阻变存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 201210016812.6 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102544365A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;傅亦晗;陈冰;高滨;刘力锋;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括多个阻变存储单元；每个阻变存储单元包括衬底(101)、在衬底(101)上依次沉积的底电极(102)、阻变层(103)和具有针尖状突出部(1041)的上电极(104)。
2.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述衬底(101)为但不限于：硅衬底、玻璃衬底或柔性衬底。
3.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极(102)为但不限于：铂、钛、铜、铝、氮化钛、镍、钨或掺杂硅。
4.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述上电极(104)为但不限于：铂、钛、铜、铝、氮化钛、镍、钨或掺杂硅。
5.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层(103)为但不限于：氧化铪、氧化钛、氧化锆、氧化锌、氧化钨或氧化钽或他们的组合。
6.如权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层(103)的厚度为1nm-1000nm。
7.一种阻变存储器制造方法，其特征在于，包括步骤：
S1：在衬底上使用沉积方法淀积导电材料，并进行光刻和刻蚀形成底电极；
S2：在未被底电极覆盖的衬底上和底电极上，用沉积方法直接淀积金属氧化物介质或淀积金属并在氧气中退火形成一层或多层混合的金属氧化物材料，并进行平坦化处理，形成阻变层；
S3：在阻变层上使用光刻和各向异性刻蚀工艺形成针尖状的凹槽；
S4：在所述凹槽中使用沉积方法淀积导电材料，然后打磨金属电极，形成针尖状的电极；
S5：在阻变层上和所述针尖状的电极上使用沉积方法淀积导电材料并进行光刻和刻蚀形成上电极。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述沉积方法包括物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述针尖状的凹槽包括锥形凹槽。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述阻变层的厚度为1nm-1000nm。
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