[发明专利]制备双大马士革结构的方法无效
| 申请号： | 201210014790.X | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102569176A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 姬峰;陈玉文;李磊;胡友存;张亮 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种制备双大马士革结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层和第一金属硬掩膜；刻蚀打开第一金属硬掩膜并直至去除部分介质层以形成沟槽；淀积第二金属硬掩膜；刻蚀打开第二金属硬掩膜并直至去除介质层和刻蚀阻挡层以形成通孔；在所述沟槽和通孔内填充金属。本发明的制备双金属硬掩膜的双大马士革结构的方法使用了金属硬掩膜，因此可以很好的控制沟槽和通孔的尺寸，从而减少漏电流，电学性能和可靠性显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 大马士革 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种制备双大马士革结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层和第一金属硬掩膜；步骤2，在第一金属硬掩膜上旋涂第一光刻胶，并光刻形成第一光刻图案；步骤3，刻蚀打开第一金属硬掩膜并直至去除部分介质层以形成沟槽，去除第一光刻胶；步骤4，淀积第二金属硬掩膜；步骤5，在所述第二金属硬掩膜上旋涂第二光刻胶，并光刻形成第二光刻图案；步骤6，刻蚀打开第二金属硬掩膜并直至去除介质层和刻蚀阻挡层以形成通孔，并去除第二光刻胶；步骤7，在所述沟槽和通孔内填充金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
