[发明专利]制备双大马士革结构的方法

权利要求书

1.一种制备双大马士革结构的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层和第一金属硬掩膜；

步骤2，在第一金属硬掩膜上旋涂第一光刻胶，并光刻形成第一光刻图案；

步骤3，刻蚀打开第一金属硬掩膜并直至去除部分介质层以形成沟槽，去除第一光刻胶；

步骤4，淀积第二金属硬掩膜；

步骤5，在所述第二金属硬掩膜上旋涂第二光刻胶，并光刻形成第二光刻图案；

步骤6，刻蚀打开第二金属硬掩膜并直至去除介质层和刻蚀阻挡层以形成通孔，并去除第二光刻胶；

步骤7，在所述沟槽和通孔内填充金属。

2.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述步骤7包括：

在所述沟槽和通孔的底部和侧壁处生长金属阻挡层和铜籽晶层；

在所述沟槽和通孔内形成金属互连材料；以及

利用化学机械抛光工艺去除所述介质层上的金属互连材料，留下所述沟槽和通孔内的金属互连材料。

3.如权利要求2所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述步骤7中的金属阻挡层的材料为TaN或Ta。

4.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述步骤1包括在半导体衬底上依次形成刻蚀阻挡层、介质层、介质层保护层和第一金属硬掩膜。

5.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述步骤5中在第二光刻胶下还涂覆底部抗反射涂层；步骤6中还包括去除所述底部抗反射涂层。

6.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述介质层为低介电常数介质层。

7.如权利要求6所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述介质层的材料为硅倍半氧烷。

8.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的材料为氮化硅或碳化硅。

9.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述第一金属硬掩膜的材料为TiN或TaN。

10.如权利要求1所述的制备双大马士革结构的方法，其特征在于，所述第二硬掩膜的材料为TaN、Ta、TiN或Ti。