[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包括：多个第一外延层、一第二外延层以及一栅极结构。第一外延层叠置于一基底上，且具有一第一导电类型。每一第一外延层内具有至少一第一掺杂区及与其相邻的至少一第二掺杂区，第一掺杂区具有一第二导电类型，且第二掺杂区具有第一导电类型。第二外延层设置于第一外延层上，且具有第一导电类型。第二外延层内具有一沟槽，且一第三掺杂区邻近于沟槽的一侧壁，且具有第二导电类型。栅极结构设置于第二掺杂区上方的第二外延层上。本发明亦揭示一种半导体装置的制造方法。根据本发明实施例的半导体装置及其制造方法，能够避免导通电阻的增加，并可简化工艺及降低制造成本。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：多个第一外延层，叠置于一基底上，且所述第一外延层及所述基底具有一第一导电类型，其中每一第一外延层内具有至少一第一掺杂区及与其相邻的至少一第二掺杂区，所述第一掺杂区具有一第二导电类型，且所述第二掺杂区具有所述第一导电类型；一第二外延层，设置于所述第一外延层上，且具有所述第一导电类型，其中所述第二外延层内具有一沟槽，露出下方的所述第一掺杂区；一第三掺杂区，邻近于所述沟槽的一侧壁，且具有所述第二导电类型，其中所述第二外延层与所述第一、所述第二、及所述第三掺杂区的掺杂浓度大于每一第一外延层的掺杂浓度；以及一栅极结构，设置于所述第二掺杂区上方的所述第二外延层上。