[发明专利]散热基座结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210013272.6 | 申请日： | 2012-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN103209571A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 巫俊铭 | 申请（专利权）人： | 奇鋐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K7/20 | 分类号： | H05K7/20 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种散热基座结构及其制造方法，包括一基座及至少一热管，该基座为高分子材料构成，并该基座一侧设有至少一凹槽并具有一开放侧及一封闭侧，所述热管固设于该凹槽内并一侧与该开放侧切齐；通过本发明此结构的设计，由于基座为高分子材料构成，可大幅减轻散热基座结构的重量，并有降低成本的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 散热 基座 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种散热基座结构，其特征在于，包括：一基座，其为高分子材料构成，并该基座的一侧设有至少一凹槽，所述凹槽具有一开放侧及一封闭侧；及至少一热管，其固设于所述凹槽内，并该热管的一侧与所述开放侧切齐。
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