[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件无效
| 申请号： | 201210011540.0 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102769039A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 袁广才 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 蒋雅洁;王黎延 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件，涉及显示器件制造技术领域，提高薄膜晶体管的特性。该薄膜晶体管，包括：在透明基板上依次形成栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层和源/漏电极层；通过对半导体有源层采用分层优化的方案，形成低氧、高导通半导体的底层和高氧、低导通半导体的顶层；实现低的关态电流Ioff和高的开态电流Ion；同时由于是分层优化方案也降低了工艺过程对半导体有源层的影响。本发明实施例用于薄膜晶体管、阵列基板的制造，及利用上述薄膜晶体管、阵列基板驱动的显示器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示 器件 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源/漏电极层，其特征在于，所述半导体有源层为多层结构，至少包括低氧含量的半导体底层和高氧含量的半导体顶层。
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