[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源/漏电极层，其特征在于，

所述半导体有源层为多层结构，至少包括低氧含量的半导体底层和高氧含量的半导体顶层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

在所述刻蚀阻挡层及所述源/漏电极层之间有低氧含量的半导体过渡层；

所述半导体有源层、所述半导体过渡层和所述源/漏电极层形成分层结构。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

在所述半导体有源层上未覆盖刻蚀阻挡层的表面形成有金属化半导体层；

所述半导体有源层、源/漏电极层及所述金属化半导体层形成分层结构。

4.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：在透明基板上形成栅极金属层、栅绝缘层、半导体有源层、刻蚀阻挡层、源/漏电极层的过程；其特征在于，

所述形成半导体有源层的过程包括：

在形成有栅绝缘层的透明基板上制作低氧含量的半导体底层；

在形成有所述半导体底层的透明基板上制作高氧含量的半导体顶层。

5.根据权利要求4中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层之后且在形成所述源/漏电极层之前，还包括：

利用等离子工艺对所述半导体有源层上未覆盖刻蚀阻挡层的表面进行金属化处理，在半导体有源层表面形成金属化半导体层。

6.根据权利要求4中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，在形成所述刻蚀阻挡层之后且在形成所述源/漏电极层之前，还包括：

形成有所述刻蚀阻挡层图案的透明基板上，形成低氧含量的半导体过渡层。

7.根据权利要求6中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述半导体过渡层与所述半导体有源层中的半导体底层选用的材料相同。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述低氧含量的半导体过渡层的厚度为5～50nm。

9.根据权利要求4中所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述形成半导体有源层和刻蚀阻挡层的过程包括：

在形成有栅绝缘层的透明基板上，依次形成半导体有源层薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；

通过一次构图工艺形成所述半导体有源层和刻蚀阻挡层。

10.根据权利要求4至9中任一项所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述半导体有源层材料为金属氧化物材料。

11.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至3中任一项所述的薄膜晶体管。

12.一种显示器件，其特征在于，所述显示器件包括权利要求11所述的阵列基板。