[发明专利]一种读电路的电流比较电路有效
| 申请号： | 201210010397.3 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103208304A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 刘铭;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 栗若木;曲鹏 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种读电路的电流比较电路，包括：输出缓冲器，用于将输入端的电压与触发点进行比较，产生输出电压；存储器单元电路、参考单元电路；第一负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述参考单元电路；第二负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述存储单元电路，以及所述输出缓冲器的输入端，栅极连接所述第一负载中P型MOS管的栅极；一N型MOS管，漏极接高电平，栅极与所述第一负载中P型MOS管的漏极相连，源极连接所述第一负载中P型MOS管的栅极；电流产生电路，与所述N型MOS管的源极相连，用于为该N型MOS管提供电流。本发明可以应用在低电源电压情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电路 电流 比较 | ||
【主权项】：
一种读电路的电流比较电路，包括：输出缓冲器，用于将输入端的电压与触发点进行比较，产生输出电压；存储器单元电路、参考单元电路；第一负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述参考单元电路；第二负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述存储单元电路，以及所述输出缓冲器的输入端，栅极连接所述第一负载中P型MOS管的栅极；其特征在于，还包括：一N型MOS管，漏极接高电平，栅极与所述第一负载中P型MOS管的漏极相连，源极连接所述第一负载中P型MOS管的栅极；电流产生电路，与所述N型MOS管的源极相连，用于为该N型MOS管提供电流。
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