[发明专利]一种读电路的电流比较电路

权利要求书

1.一种读电路的电流比较电路，包括：

输出缓冲器，用于将输入端的电压与触发点进行比较，产生输出电压；

存储器单元电路、参考单元电路；

第一负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述参考单元电路；

第二负载，包括一P型MOS管，源极连接高电平，漏极连接所述存储单元电路，以及所述输出缓冲器的输入端，栅极连接所述第一负载中P型MOS管的栅极；

其特征在于，还包括：

一N型MOS管，漏极接高电平，栅极与所述第一负载中P型MOS管的漏极相连，源极连接所述第一负载中P型MOS管的栅极；

电流产生电路，与所述N型MOS管的源极相连，用于为该N型MOS管提供电流。

2.如权利要求1中所述电流比较电路，其特征在于，所述电流产生电路包括：

连接在地和所述N型二极管之间的电流源。

3.如权利要求1中所述电流比较电路，其特征在于，还包括：

用于提供所述高电平的电压源。

4.如权利要求1到3中任一项中所述电流比较电路，其特征在于，所述参考单元电路包括：

第一钳位电路；

参考单元，包括一浮栅型MOS存储器件，控制栅极连接参考电压，源极接地，漏极连接所述第一钳位电路。

5.如权利要求4中所述电流比较电路，其特征在于：

所述第一钳位电路用于将所述参考单元的漏端电压钳位在0.8V～1.2V之间。

6.如权利要求4中所述电流比较电路，其特征在于，所述第一钳位电路包括：

第一反相器；

第一钳位管，为一N型MOS管，源极连接所述参考单元的漏极、及所述反相器的输入端；栅极连接所述第一反相器的输出端。

7.如权利要求1到3中任一项中所述电流比较电路，其特征在于，所述存储器单元电路包括：

行译码电路、列译码电路、连接在列译码电路和地之间的电容、连接在所述第二负载和所述列译码电路之间的第二钳位电路；

存储器单元，包括一浮栅型MOS存储器件，控制栅极连接所述行译码电路，源极接地，漏极通过所述列译码电路连接所述钳位电路及所述电容。

8.如权利要求7中所述电流比较电路，其特征在于：

所述第二钳位电路用于将所述存储器单元的漏端电压钳位在0.8V～1.2V之间。

9.如权利要求7中所述电流比较电路，其特征在于，所述第二钳位电路包括：

第二反相器；

第二钳位管，为一N型MOS管，源极连接所述反相器的输入端，并通过所述列译码电路连接所述存储器单元的漏极；栅极连接所述第二反相器的输出端。