[发明专利]薄膜晶体管阵列面板在审
| 申请号： | 201210009563.8 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN102610618A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 俞炯硕;金周汉;李制勋;金圣训;李政奎;郑敞午 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及定位在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢含量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板；定位在所述基板上的栅线；与所述栅线交叉的数据线；连接至所述栅线和所述数据线的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体；设置在所述薄膜晶体管的栅电极与所述薄膜晶体管的所述半导体之间的栅绝缘层；连接至所述薄膜晶体管的像素电极；以及设置在所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的钝化层，其中，所述栅绝缘层和所述钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且所述氮化硅层包括小于2×1022原子数/cm3或4原子％的氢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
