[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板；

定位在所述基板上的栅线；

与所述栅线交叉的数据线；

连接至所述栅线和所述数据线的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体；

设置在所述薄膜晶体管的栅电极与所述薄膜晶体管的所述半导体之间的栅绝缘层；

连接至所述薄膜晶体管的像素电极；以及

设置在所述像素电极与所述薄膜晶体管之间的钝化层，

其中，所述栅绝缘层和所述钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且

所述氮化硅层包括小于2×10²²原子数/cm³或4原子％的氢。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述氮化硅层包括具有第一密度的第一氮化硅层和具有第二密度的第二氮化硅层，并且其中，所述第一密度和所述第二密度不同。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述氮化硅层的折射率在1.86至2.0的范围内。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述第一氮化硅层设置为比所述第二氮化硅层更接近于所述半导体。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述第一氮化硅层的所述第一密度高于所述第二氮化硅层的所述第二密度。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述氧化物半导体由锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、或铟(In)、或它们的组合中的至少一种的氧化物制成。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述氧化物半导体由氧化锌(ZnO)、铟镓锌氧化物(InGaZnO₄)、铟锌氧化物(Zn-In-O)、或锌锡氧化物(Zn-Sn-O)中的至少一种制成。

8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述第一氮化硅层的所述第一密度低于所述第二氮化硅层的所述第二密度。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述氮化硅层中的氢含量为约1.5×10²²原子数/cm³。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中，

所述氮化硅层中的氢含量为约1.4×10²²原子数/cm³。

11.一种用于制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括：

在基板上形成栅线；

形成与所述栅线交叉的数据线；

形成连接至所述栅线和所述数据线的薄膜晶体管；

在所述薄膜晶体管上形成钝化层；以及

形成设置在所述钝化层上并连接至所述薄膜晶体管的像素电极，

其中，所述钝化层和设置在所述薄膜晶体管的栅电极与半导体之间的栅绝缘层中的至少一个包括氮化硅层，并且

所述氮化硅层通过保持低于1500毫托的沉积室压力和高于80的N₂/SiH₄流量比来形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述氮化硅层包括小于2×10²²原子数/cm³的氢。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述氮化硅层包括小于4原子％(原子百分比)的氢。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，

所述氮化硅层的折射率在1.86至2.0的范围内。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述栅绝缘层和所述钝化层中的至少一个包括具有第一密度的第一氮化硅层和具有第二密度的第二氮化硅层，其中，所述第一密度和所述第二密度不同。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

所述第一氮化硅层的所述第一密度高于所述第二氮化硅层的所述第二密度。