[发明专利]薄膜晶体管阵列面板

说明书

相关申请的引用

本申请要求于2011年1月19日提交的韩国专利申请号10-2011-0005482的优先权和权益，由此出于所有目的将其通过引用并入本文中，如同在本文中充分阐述。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管被用作开关元件，以独立地驱动诸如液晶显示器或有机发光装置的平板显示装置中的每个像素。包括薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列面板包括用于将扫描信号传送至薄膜晶体管的扫描信号线(或栅线)和用于传送数据信号的数据线、以及连接至薄膜晶体管的像素电极。

薄膜晶体管由连接至栅线的栅电极、连接至数据线的源电极、连接至像素电极的漏电极、以及在源电极与漏电极之间在栅电极上设置的半导体层形成，并且数据信号根据来自栅线的栅信号从数据线传送至像素电极。

在这种情况下，薄膜晶体管的半导体层由多晶硅、非晶硅、或氧化物半导体形成。

薄膜晶体管的栅绝缘层或钝化层可以由氧化硅或氮化硅制成。

然而，氧化硅的沉积速度低，对于干法蚀刻来说，蚀刻时间长，并且在刻蚀过程中会产生许多颗粒。

而且，当沉积氮化硅时，氧化物半导体的氧化物通过氢的还原过程而还原，使得薄膜晶体管的电特性可能被劣化。

在该背景技术部分中公开的以上信息仅是为了增强对本发明背景的理解，因此它可能包含并不构成在本国对于本领域普通技术人员来说已经已知的现有技术这样的信息。

发明内容

本发明的示例性实施方式提供了一种可以防止薄膜晶体管的电特性降低的薄膜晶体管阵列面板、以及其制造方法。

本发明的另外特征将在下面的描述中阐述，并且部分地会从该描述中显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。

本发明的示例性实施方式公开了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；设置在绝缘基板上的栅线；与栅线交叉的数据线；连接至栅线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管的栅电极与薄膜晶体管的半导体之间的栅绝缘层；连接至薄膜晶体管的像素电极；以及设置在像素电极与薄膜晶体管之间的钝化层，其中，栅绝缘层和钝化层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层包括小于2×10²²原子数/cm³或4原子％的氢。

本发明的示例性实施方式公开了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在绝缘基板上形成栅线；形成与栅线交叉的数据线；形成与栅线和数据线连接的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成钝化层；以及形成定位在钝化层上并连接至薄膜晶体管的像素电极，其中，钝化层和设置在薄膜晶体管的栅电极与半导体之间的栅绝缘层中的至少一个包括氮化硅层，并且氮化硅层通过保持低于1500毫托的沉积室压力和高于80的N₂/SiH₄流量比来形成。

应该理解，上述一般描述和下面的详细描述两者均是示例性的和说明性的，并且旨在提供如所要求的本发明的进一步解释。从下面的详细描述、附图和权利要求书，其它特征和方面会显而易见。

附图说明

被包括以提供对本发明的进一步理解并且结合在本说明书中且构成本说明书一部分的附图说明了本发明的实施方式，并且与描述一起用来解释本发明的原理。

图1是根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管的示图。

图2是示出了根据示例性实施方式的制造图1的薄膜晶体管的方法的截面图。

图3是示出了根据本发明示例性实施方式的制造图1的薄膜晶体管的方法的截面图。

图4是比较包括在根据示例性实施方式和常规技术形成的氮化硅层中的氢含量的FT-IR分析曲线图。

图5是根据常规技术形成的包括栅绝缘层和钝化层的薄膜晶体管的I_ds-V曲线图。

图6是根据本发明示例性实施方式形成的包括栅绝缘层和钝化层的薄膜晶体管的I_ds-V曲线图。

图7是根据本发明示例性实施方式形成的包括栅绝缘层和钝化层的薄膜晶体管的I_ds-V曲线图。

图8是根据本发明示例性实施方式的薄膜晶体管阵列面板的布局图。

图9是沿图8的线IX-IX截取的截面图。

具体实施方式