[发明专利]通过蚀刻来生产RFID应答器的方法有效
申请号: | 201180076474.9 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN104137123B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | J.维坦恩 | 申请(专利权)人: | 斯马特拉克IP有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;H01Q1/22;H01Q1/38 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 原绍辉,胡斌 |
地址: | 荷兰阿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于生产射频识别应答器(100)的方法,包括‑提供由掩模层(M1,M2)覆盖的导电薄片(70);‑利用激光束(LB1)来加工掩模层(M1)以便形成导电薄片(70)的加工部分(U2),其中在射频识别芯片(50)附连到导电薄片(70)上之后执行所述加工;以及‑蚀刻(ETCH1)所述暴露部分(U2)以便在导电薄片(70)中形成凹槽(C2),其中所述凹槽(C2)限定应答器(100)的天线元件(10a)的边缘。 | ||
搜索关键词: | 通过 蚀刻 生产 rfid 应答器 方法 | ||
【主权项】:
一种用于生产射频识别应答器(100)的方法,所述应答器(100)包括射频识别芯片(50)和一个或多个天线元件(10a, 10b, CA1),所述方法包括:‑提供由第一掩模层(M1)和由第二掩模层(M2)覆盖的导电薄片(70);‑利用激光束(LB1)来加工所述第一掩模层(M1)以便形成所述导电薄片(70)的暴露部分(U1,U2), 其中在所述射频识别芯片(50)已附连到所述导电薄片(70)上之后执行所述加工;以及‑蚀刻(ETCH1)所述暴露部分(U1,U2)以便在所述导电薄片(70)中形成凹槽(C1 ,C2),其中所述凹槽(C1 ,C2)限定所述应答器(100)的天线元件(10a)的边缘的位置,在将所述芯片(50)附连到所述导电薄片(70)上之前已利用第一掩模层(M1)来覆盖所述导电薄片(70)的第一侧,且其中在将所述芯片(50)附连到所述导电薄片(70)上之前已利用第二掩模层(M2)来覆盖所述导电薄片(70)的第二侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于斯马特拉克IP有限公司,未经斯马特拉克IP有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201180076474.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:测量观众的方法
- 下一篇:视频中的增强的脸部识别