[发明专利]通过蚀刻来生产RFID应答器的方法有效

专利信息
申请号: 201180076474.9 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN104137123B 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: J.维坦恩 申请(专利权)人: 斯马特拉克IP有限公司
主分类号: G06K19/077 分类号: G06K19/077;H01Q1/22;H01Q1/38
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 原绍辉,胡斌
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于生产射频识别应答器(100)的方法,包括‑提供由掩模层(M1,M2)覆盖的导电薄片(70);‑利用激光束(LB1)来加工掩模层(M1)以便形成导电薄片(70)的加工部分(U2),其中在射频识别芯片(50)附连到导电薄片(70)上之后执行所述加工;以及‑蚀刻(ETCH1)所述暴露部分(U2)以便在导电薄片(70)中形成凹槽(C2),其中所述凹槽(C2)限定应答器(100)的天线元件(10a)的边缘。
搜索关键词: 通过 蚀刻 生产 rfid 应答器 方法
【主权项】:
一种用于生产射频识别应答器(100)的方法,所述应答器(100)包括射频识别芯片(50)和一个或多个天线元件(10a, 10b, CA1),所述方法包括:‑提供由第一掩模层(M1)和由第二掩模层(M2)覆盖的导电薄片(70);‑利用激光束(LB1)来加工所述第一掩模层(M1)以便形成所述导电薄片(70)的暴露部分(U1,U2), 其中在所述射频识别芯片(50)已附连到所述导电薄片(70)上之后执行所述加工;以及‑蚀刻(ETCH1)所述暴露部分(U1,U2)以便在所述导电薄片(70)中形成凹槽(C1 ,C2),其中所述凹槽(C1 ,C2)限定所述应答器(100)的天线元件(10a)的边缘的位置,在将所述芯片(50)附连到所述导电薄片(70)上之前已利用第一掩模层(M1)来覆盖所述导电薄片(70)的第一侧,且其中在将所述芯片(50)附连到所述导电薄片(70)上之前已利用第二掩模层(M2)来覆盖所述导电薄片(70)的第二侧。
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